【雜志簡(jiǎn)介】

　　《微電子學(xué)》是技術(shù)類期刊。傳播、普及、推廣 微電子科學(xué)技術(shù)知識(shí)，介紹國(guó)內(nèi)微電子行業(yè)的最新研究成果和國(guó)外微電子業(yè)界的發(fā)展動(dòng)態(tài)。有關(guān)微電子學(xué)基礎(chǔ)理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導(dǎo)體工藝和制造技術(shù)，集成電路封裝技術(shù)，多芯片組件技術(shù)，集成電路可靠性技術(shù)，片上系統(tǒng)，集成系統(tǒng)等領(lǐng)域的研究論文、技術(shù)報(bào)告、綜合評(píng)述、產(chǎn)品應(yīng)用等內(nèi)容。該刊重點(diǎn)檢索刊物、數(shù)據(jù)庫(kù)、期刊網(wǎng)站所收錄，是中國(guó)核心期刊之一。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　中文核心期刊

　　信息產(chǎn)業(yè)部?jī)?yōu)秀電子科技期刊

　　中國(guó)期刊方陣“雙效”期刊

　　國(guó)外數(shù)據(jù)庫(kù)收錄：俄羅斯文摘雜志、美國(guó)化學(xué)文摘、英國(guó)物理學(xué)、電技術(shù)、計(jì)算機(jī)及控制信息社數(shù)據(jù)庫(kù)

　　【欄目設(shè)置】

　　本刊主要刊登有關(guān)微電子學(xué)基礎(chǔ)理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導(dǎo)體工藝和制造技術(shù)，集成電路封裝技術(shù)，多芯片組件技術(shù)，集成電路可靠性技術(shù)，片上系統(tǒng)，集成系統(tǒng)等領(lǐng)域的研究論文、技術(shù)報(bào)告、綜合評(píng)述、產(chǎn)品應(yīng)用等內(nèi)容。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源 韓雨衡;趙少敏;劉增鑫;賀婭君;華浩翔;張國(guó)俊417-420

　　一種高效率寬電壓輸入混合集成開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì) 柴漢冬;尹華421-424+428

　　一種高電源抑制比的全MOS電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì) 唐俊龍;肖正;周斌騰;謝海情425-428

　　一種USB電源管理芯片雙門限限流保護(hù)電路 譚玉麟;馮全源429-432

　　一種低相位噪聲鎖相環(huán)頻率合成器的設(shè)計(jì) 李通;陳志銘;桂小琰433-436+440

　　一種基于全差分積分器的時(shí)鐘穩(wěn)定電路設(shè)計(jì) 羅凱;朱璨;胡剛毅437-440

　　基于90nm CMOS工藝的37GHz分頻器 安鵬;陳志銘;桂小琰441-443+448

　　一種電流型非線性補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì) 徐鵬程;尹桂珠;韓志剛444-448

　　帶使能端及保護(hù)電路的LDO設(shè)計(jì) 汪雪琴;李力南;歐文;翟鵬飛;毛少博449-453

　　一種用于TRIAC導(dǎo)通角測(cè)量的時(shí)鐘振蕩電路 周英娜;郭寶明;馮玲玲;李威454-456+460

　　一種高CMRR高增益運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì) 何澤煒;郭俊;張國(guó)俊457-460

　　可集成于汽車電壓調(diào)節(jié)器的高性能振蕩電路 王建衛(wèi);李佐;張鳳玲;張輝461-464

　　一種電流自適應(yīng)溫度的LED驅(qū)動(dòng)電路 武世明;曾以成;陶亮465-468+473

　　一種用于PIR控制芯片的級(jí)聯(lián)積分梳狀濾波器 徐進(jìn);李澤宏;王子歐;江猛469-473

　　一種有效實(shí)現(xiàn)IC時(shí)序收斂的方法 祝雪菲;張萬(wàn)榮;萬(wàn)培元;林平分;王成龍;劉文斌474-478+483

　　單粒子瞬態(tài)脈沖的片上測(cè)量 蔣見(jiàn)花;向一鳴;周玉梅479-483

　　基于肖特基勢(shì)壘二極管整流的功率指示計(jì)設(shè)計(jì) 李琰;肖知明;俞航;劉少華;Amara AMARA484-487

　　高精度電流模式四象限乘法器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 吳湘鋒;李志軍;張黎黎488-491+496

　　準(zhǔn)諧振正激變換器零電壓開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì) 吳限;王強(qiáng);蔣云楊492-496

　　電子科技論文發(fā)表：基于北斗搜尋救助定位系統(tǒng)的定位終端設(shè)計(jì)

　　摘 要：北斗搜尋救助定位終端是整個(gè)系統(tǒng)的核心，該文設(shè)計(jì)了一套適用于弱勢(shì)群體定位終端，重點(diǎn)講述了該終端的定位模塊、單片機(jī)模塊以及無(wú)線通信模塊的電路設(shè)計(jì)，并通過(guò)硬件電路調(diào)試，將終端成功運(yùn)行起來(lái)，北斗接收終端通過(guò)串口調(diào)試助手進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明北斗接收機(jī)能夠正常接收來(lái)自北斗衛(wèi)星和GPS衛(wèi)星的導(dǎo)航信息，并且能接收和發(fā)送短信。

　　關(guān)鍵詞：北斗衛(wèi)星,定位終端,無(wú)線通信

　　現(xiàn)今我們?cè)诓皇煜さ膱?chǎng)所唯一依賴的 GPS或衛(wèi)星電話，這些對(duì)老人、兒童以及智障人士來(lái)說(shuō)無(wú)疑是毫無(wú)用處的，而危險(xiǎn)無(wú)處不在，如果無(wú)法及時(shí)掌握這些人的動(dòng)態(tài)信息，可能會(huì)導(dǎo)致悲劇的發(fā)生。因此設(shè)計(jì)一套基于北斗衛(wèi)星導(dǎo)航的搜尋救助系統(tǒng)是非常有必要的。在搜尋救助系統(tǒng)中定位終端需要帶在行人的身上，才可以對(duì)其進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)控、跟蹤，因此如何設(shè)計(jì)較小的定位終端在搜尋救助定位系統(tǒng)中有著至關(guān)重要的地位。在終端的設(shè)計(jì)中，文章采用了體積較小的BD/GPS雙模定位模塊UM220。TC35i模塊作為無(wú)線通信模塊。采用C8051F380單片機(jī)，一方面可以控制北斗模塊的位置信息的接收，另一方面可以控制無(wú)線通信模塊與遠(yuǎn)程服務(wù)器進(jìn)行通信。

　　微電子學(xué)最新期刊目錄

一種精度量化抖動(dòng)的真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)————作者：葉新偉;倪天明;吳昊;聶牧;

摘要：真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器（True Random Number Generator， TRNG）在密碼學(xué)、統(tǒng)計(jì)學(xué)、信息技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。以環(huán)形振蕩器（Ring Oscillator， RO）為基礎(chǔ)的TRNG，由于需要累積足夠的抖動(dòng)，才能使異或處理后的輸出信號(hào)被抖動(dòng)區(qū)域覆蓋，因此消耗大量時(shí)間。提出了一種在現(xiàn)場(chǎng)可編程門列陣（Field Programmable Gate Array， FPGA）上...

一種片內(nèi)集成的鋸齒波振蕩器設(shè)計(jì)————作者：黃開(kāi)棟;張濤;劉勁;

摘要：為了給DC-DC電源芯片提供內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)，設(shè)計(jì)了一種基于0.18μm CMOS工藝可片內(nèi)集成的鋸齒波振蕩器，該振蕩器采用了能夠抑制比較器失調(diào)的影響的結(jié)構(gòu)，而且通過(guò)低溫漂電路給比較器與供電，降低了溫度對(duì)比較器延遲的影響。此外，設(shè)計(jì)了修調(diào)電路對(duì)振蕩器電路的工藝偏差、溫度影響進(jìn)行補(bǔ)償，最終達(dá)到較好的溫度特性與工藝穩(wěn)定性。仿真結(jié)果表明，輸出鋸齒波幅值為0.6V～3.2V，頻率為350kHz，-55℃到12...

一種基于同步并發(fā)分級(jí)聚類的時(shí)鐘樹(shù)綜合方案————作者：陳陽(yáng);張樹(shù)鋼;俞澤文;肖建;

摘要：隨著超大規(guī)模集成電路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）制造工藝的快速發(fā)展以及其對(duì)應(yīng)集成度的不斷提高，數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)迎來(lái)了許多挑戰(zhàn)。時(shí)鐘樹(shù)綜合是數(shù)字后端設(shè)計(jì)的重要部分，現(xiàn)有的時(shí)鐘樹(shù)綜合算法開(kāi)始面臨迭代效率變低和收斂速度變慢的問(wèn)題。因此，本文提出了一種同步并發(fā)時(shí)鐘樹(shù)分級(jí)聚類算法（Synchronous Clock-tree Hierarchical...

一種高無(wú)源增益低功耗的二階CIFF NS SAR ADC————作者：白創(chuàng);王澤龍;

摘要：設(shè)計(jì)了一種一階4倍、二階16倍無(wú)源增益的低功耗級(jí)聯(lián)積分器前饋(CIFF)噪聲整形(NS) SAR ADC。采用基于電荷泵的無(wú)源增益技術(shù)和多輸入比較器共同實(shí)現(xiàn)對(duì)衰減殘差信號(hào)的補(bǔ)償，解決了無(wú)源積分器存在信號(hào)衰減，整形效果不佳，精度提升不明顯的問(wèn)題；DAC采用基于Vcm-based開(kāi)關(guān)策略的電容分裂技術(shù)，擺脫對(duì)Vcm電平的依賴，消除了該部分電路的功耗；通過(guò)上移比較器控制信號(hào)的交點(diǎn)，將第二級(jí)動(dòng)態(tài)鎖存器的電...

16位 5MS/s高精度兩步式SAR ADC設(shè)計(jì)————作者：廖玲玲;靳叢羽;劉佳欣;

摘要：基于180nm CMOS工藝，本文設(shè)計(jì)了一款高精度16位5MS/s的兩步式逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器（SAR ADC）。該ADC采用環(huán)形放大器作為級(jí)間放大器，實(shí)現(xiàn)了93dB的信噪比（SNR）。在電路架構(gòu)方面，第一級(jí)采用6位單端SAR ADC對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行最高有效位(MSB)的粗量化，該結(jié)構(gòu)支持滿擺幅的輸入共模電壓范圍。粗量化完成后，進(jìn)行第一級(jí)SAR后4位最低有效位（LSB）的精細(xì)量化，精細(xì)量化后的殘差電壓...

高速ESD保護(hù)低電容雙向SCR————作者：馬超;賈義睿;齊釗;陳泓全;魏敬奇;張波;

摘要：針對(duì)在ESD防護(hù)中的系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)數(shù)據(jù)接口的傳輸速率與信號(hào)頻率越來(lái)越高的要求，基于0.5 μm BCD工藝，設(shè)計(jì)了一種具備低觸發(fā)電壓和低電容的雙向SCR器件（LCDDSCR）。相較于常規(guī)的傳統(tǒng)雙向SCR器件結(jié)構(gòu)（DDSCR），LCDDSCR結(jié)構(gòu)采用臨界擴(kuò)散技術(shù)減小了P-well區(qū)的面積，實(shí)現(xiàn)了器件輸入電容的降低�；�于SCR器件的齊納觸發(fā)特性，通過(guò)臨界齊納注入技術(shù)引入ZP區(qū)使得器件的觸發(fā)電壓降低。傳輸線...

EOTPR在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用研究————作者：陳選龍;孔艮永;石高明;賀光輝;劉加豪;林曉玲;李潮;

摘要：傳統(tǒng)時(shí)域反射儀（TDR）在應(yīng)對(duì)高密度先進(jìn)封裝定位時(shí)，因分辨率限制，無(wú)法精確分辨百微米以下缺陷位置。介紹了電光太赫茲脈沖時(shí)域反射儀（EOTPR）的原理，通過(guò)采用飛秒激光激發(fā)穩(wěn)定的快速脈沖，產(chǎn)生太赫茲頻段電磁信號(hào)，注入被測(cè)試器件，同時(shí)采用異步電光采樣法快速取樣反射信號(hào)，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)于65微米分辨率的失效定位。通過(guò)采用EOTPR實(shí)現(xiàn)了對(duì)引線鍵合BGA的埋孔斷裂、FCBGA封裝UBM斷裂、MCM封裝導(dǎo)通孔斷裂...

一種通用型多參量傳感器信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)————作者：侯影;李政;劉銘揚(yáng);劉偉;李振明;劉昱;

摘要：介紹了一種采用0.18 μm CMOS工藝制作的通用型多參量傳感器信號(hào)處理電路，該電路可用于R/C/V型傳感器信號(hào)處理。針對(duì)R/C/V型傳感器基線差異問(wèn)題，基于直流伺服環(huán)路和電荷守恒原理，設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電容式軌到軌電壓型基線補(bǔ)償和輔助鎖定電路，自動(dòng)消除R/C/V型傳感器靜態(tài)基線差異，以拓展傳感器檢測(cè)范圍，避免信號(hào)處理電路飽和失真。測(cè)試結(jié)果表明，R/C/V傳感器檢測(cè)范圍分別為0 Ω-5 kΩ/0 pF-2...

一種線性增強(qiáng)的低功耗軌到軌運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)————作者：張子歐;李文昌;鑒海防;阮為;劉劍;張?zhí)煲?滕瑞;賈晨強(qiáng);張益翔;

摘要：針對(duì)運(yùn)算放大器Class-AB輸出級(jí)存在的信號(hào)失真問(wèn)題，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種線性增強(qiáng)的低功耗軌到軌運(yùn)算放大器�；�于��(duì)短溝道引起的非理想高階效應(yīng)的機(jī)理分析，提出了一種線性增強(qiáng)浮動(dòng)電流源結(jié)構(gòu)，在利用跨導(dǎo)線性環(huán)控制功耗的同時(shí)，有效降低了電路增益非線性度，減少了信號(hào)處理過(guò)程中的失真問(wèn)題。電路采用0.18μm CMOS工藝流片，測(cè)試結(jié)果表明，芯片實(shí)現(xiàn)了軌到軌輸入輸出范圍，增益非線性度為5.5×10^-6...

一種具有分段曲率補(bǔ)償?shù)牡蜏仄瘞�隙基�?zhǔn)————作者：馬阿寧;郭皓;李致璇;張冠茂;

摘要：基于SMIC-130nm工藝，本文設(shè)計(jì)了一款高階非線性曲率補(bǔ)償且具有較低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)（Bandgap Reference， BGR）。采用曲率補(bǔ)償技術(shù)和分段溫度補(bǔ)償技術(shù)，使該BGR具有較低的溫度系數(shù)和較寬的溫度范圍。該BGR采用3.5V電源供電，基準(zhǔn)輸出電壓為1.2V左右，并根據(jù)溫度范圍的不同產(chǎn)生相應(yīng)的曲率補(bǔ)償電流。仿真結(jié)果表明，在-75℃到125℃溫度范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了6個(gè)溫度補(bǔ)償極值點(diǎn)。補(bǔ)償...

應(yīng)用于5.8GHz多普勒雷達(dá)的高性能接收機(jī)————作者：毛勵(lì)劍;崔杰;阮穎;陳磊;

摘要：針對(duì)5.8GHz多普勒雷達(dá)應(yīng)用，使用HL55nm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種高性能接收機(jī)電路，接收機(jī)主要由跨導(dǎo)低噪聲放大器（LNTA）、混頻器（MIXER）、本振緩沖器（LO Buffer）以及跨阻放大器（TIA）組成。該接收機(jī)輸入使用變壓器巴倫實(shí)現(xiàn)單端轉(zhuǎn)差分以獲得良好共模噪聲抑制，LNTA采用了輔助支路噪聲抵消技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低噪聲，同時(shí)也具有低功耗、無(wú)電感、高輸出阻抗的特點(diǎn)；系統(tǒng)層面上，使用占空比的方式...

一種具有高噪聲抗擾度的高速電平移位電路————作者：孫文文;周懷路;王耀;

摘要：針對(duì)高壓直流-直流降壓穩(wěn)壓器的應(yīng)用，提出了一種高速、高可靠性的高壓自舉柵驅(qū)動(dòng)電平移位電路。通過(guò)引入瞬時(shí)動(dòng)態(tài)電流實(shí)現(xiàn)了低傳輸延遲和低功耗。在浮動(dòng)電源軌高速切換過(guò)程中，電路內(nèi)部存在的寄生電容的充放電會(huì)導(dǎo)致輸出邏輯錯(cuò)誤。針對(duì)此問(wèn)題，采用一種高速、低功耗的共模噪聲抑制電路，實(shí)現(xiàn)了極高的噪聲抗擾度。所提出的電平移位電路基于0.18 μm BCD工藝，使用Cadence完成電路設(shè)計(jì)仿真與版圖繪制，其有源面積為...

一種基于65nm CMOS工藝的 V波段寬帶低噪聲接收前端————作者：蔡亞星;姜浩然;王少奇;桑磊;

摘要：介紹了一種采用65nm CMOS工藝設(shè)計(jì)的，工作在 V波段的寬帶低噪聲接收前端電路。該接收前端主要包含低噪聲放大器，無(wú)源混頻器和跨阻放大器。低噪聲放大器采用差分共源結(jié)構(gòu)，利用中和電容提高電路穩(wěn)定性和增益，利用低K值變壓器做級(jí)間匹配，以擴(kuò)展帶寬和提高帶內(nèi)平坦度。采用無(wú)源混頻器以提高線性度，跨阻放大器也采用低噪聲設(shè)計(jì)。測(cè)試結(jié)果表明，常溫時(shí)，該電路在1.1V電源電壓下，轉(zhuǎn)換增益為21.7dB，3dB帶寬...

一種具有基極電流補(bǔ)償?shù)牡驮肼昄DO————作者：黃經(jīng)緯;羅萍;王浩;辛相文;李鵬;羅凱;

摘要：基于180nm BCD工藝，設(shè)計(jì)了一種具有基極電流補(bǔ)償?shù)牡驮肼昄DO電路。該LDO采用BJT預(yù)放大級(jí)，降低了誤差放大器的1/f噪聲；采用單位增益負(fù)反饋架構(gòu)，消除了反饋電阻網(wǎng)絡(luò)貢獻(xiàn)的噪聲，并通過(guò)一階RC低通濾波器降低了基準(zhǔn)的高頻噪聲；同時(shí)，提出一種基極電流補(bǔ)償電路，用于補(bǔ)償BJT預(yù)放大級(jí)的基極電流，避免基準(zhǔn)電壓的降低。仿真結(jié)果表明：該LDO輸入電壓2.4～5.5V，輸出電壓0.8～5.3V，最大帶載...

一種基于Sigma-Delta調(diào)制器的高精度電容檢測(cè)芯片的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)————作者：蔣春輝;周子超;許新宇;卓啟越;鄒望輝;

摘要：文章采用180 nm 1.8V CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一款高精度電容檢測(cè)芯片。該芯片采用離散時(shí)間型二階CIFF結(jié)構(gòu)Sigma-Delta調(diào)制器作為電容檢測(cè)前端電路，采用斬波差動(dòng)放大器、柵壓自舉開(kāi)關(guān)以及下極板采樣等技術(shù)提高電容檢測(cè)精度。整體電路使用軟件進(jìn)行后仿真，后仿結(jié)果顯示：該電容檢測(cè)電路能夠?qū)?～32pF的電容進(jìn)行準(zhǔn)確檢測(cè)；在10Hz的測(cè)量頻率下，芯片的絕對(duì)電容分辨率可以達(dá)到10aF左右。本文對(duì)電...

SiGe-on-SOI HBT總劑量效應(yīng)損傷研究————作者：龍?jiān)碌貌?劉雪飛;畢津順;艾爾肯·阿不都瓦衣提;王珍;王剛;劉明強(qiáng);王德貴;

摘要：利用半導(dǎo)體器件仿真工具，針對(duì)SOI襯底鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe-on-SOI HBT）的總劑量效應(yīng)（TID）損傷機(jī)理與影響進(jìn)行研究。STI與EB Spacer氧化層陷阱電荷和界面陷阱電荷引起額外的基極漏電流導(dǎo)致SiGe-on-SOI HBT器件電學(xué)參數(shù)退化。分析不同工作偏置和低溫條件下的過(guò)�；鶚O電流和歸一化電流增益，結(jié)果表明，截止偏置下退化最為嚴(yán)重，零偏其次，正向偏置和飽和偏置則表現(xiàn)出較好的...

一種65 nm CMOS工藝低相噪低功耗壓控振蕩器電路————作者：李鐵虎;張偉;郭超東;黃錦濤;曾軍;張俊安;

摘要：文章提出了一種基于65 nm CMOS工藝的低相噪、低功耗LC壓控振蕩器。該設(shè)計(jì)引入了一種新型的諧振電路結(jié)構(gòu)，利用雙交叉耦合的PMOS管，通過(guò)交流耦合方式連接可變電容模塊，從而降低了壓控振蕩器的增益，改善了其相位噪聲性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)了6組開(kāi)關(guān)電容，以擴(kuò)展振蕩器的調(diào)諧范圍。在保證低相位噪聲的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了寬頻范圍的振蕩輸出。后仿真結(jié)果顯示，在1.2 V電壓下，壓控振蕩器的功耗為3.49 mW，振蕩頻率...

一種低功耗低溫漂帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)————作者：陳小龍;馮全源;

摘要：為了解決傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電路使用運(yùn)放鉗位造成功耗過(guò)大的問(wèn)題，基于SMIC 0.18 μm CMOS工藝，在傳統(tǒng)Brokaw結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一種低功耗低溫漂無(wú)運(yùn)放帶隙基準(zhǔn)電路。為了減少輸出電壓的溫度漂移，設(shè)計(jì)一種曲線校正電路，從一階帶隙基準(zhǔn)電路中抽取正溫電流與負(fù)溫電流，以減小輸出基準(zhǔn)電壓隨溫度變化產(chǎn)生的溫度漂移，在較寬的溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)較低的溫度系數(shù)。仿真結(jié)果表明，在-40～130℃溫度范圍內(nèi)，3.3...

一種全CMOS低功耗亞閾值基準(zhǔn)電壓源————作者：黃可;張濤;劉勁;

摘要：設(shè)計(jì)了一種全CMOS結(jié)構(gòu)的亞閾值基準(zhǔn)電壓源，與傳統(tǒng)的亞閾值CMOS基準(zhǔn)電壓源相比，通過(guò)使用兩種不同閾值電壓的NMOS管的柵源電壓之差產(chǎn)生電流，無(wú)需額外電阻，降低了電路靜態(tài)功耗。設(shè)計(jì)了一種輸出電壓產(chǎn)生電路，采用基于兩極運(yùn)放的單位增益緩沖器與柵極耦合的NMOS對(duì)級(jí)聯(lián)，實(shí)現(xiàn)了正負(fù)溫度系數(shù)電壓相加�；�于TSMC 0.18 μm工藝完成了基準(zhǔn)電壓源版圖的設(shè)計(jì)，版圖面積為43 μm×14 μm。后仿真結(jié)果表明...

一種含精確AFC及VCO幅度校準(zhǔn)的低噪聲鎖相環(huán)————作者：劉鈺;倪屹;

摘要：為了避免選擇過(guò)大的調(diào)諧增益K_vco造成鎖相環(huán)頻率綜合器相位噪聲惡化以及由于非最佳子帶的選擇而帶來(lái)的各種不良影響，提出一種精確自動(dòng)頻率校準(zhǔn)（AFC）算法來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)壓控振蕩器（VCO）頻率子帶的精確選擇。同時(shí)為了進(jìn)一步提升其噪聲性能，提出了一種通過(guò)對(duì)電壓偏置型VCO的振蕩幅度進(jìn)行調(diào)節(jié)來(lái)優(yōu)化噪聲的方法，在盡可能提高鎖相環(huán)噪聲性能的同時(shí)避免過(guò)大的功耗。采用SMIC 0.11 μm CM...

　　相關(guān)電子信息期刊推薦

• 北大核心《聲學(xué)技術(shù)》
• 北大核心《電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào)》
• 國(guó)家級(jí)《計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程》
• 國(guó)家級(jí)家用電器
• 省級(jí)《中國(guó)計(jì)量學(xué)院學(xué)報(bào)》
• 省級(jí)數(shù)碼攝影
• 國(guó)家級(jí)《包裝與食品機(jī)械》
• 北大核心測(cè)控自動(dòng)化
• 國(guó)家級(jí)數(shù)字社區(qū)智能家居
• 省級(jí)WIRED連線
• 省級(jí)《廣東廣播電視大學(xué)學(xué)報(bào)》
• 國(guó)家級(jí)《世界竹藤通訊》
• 國(guó)家級(jí)《電力系統(tǒng)通信》
• 北大核心《地震學(xué)報(bào)》
• 國(guó)家級(jí)電腦應(yīng)用文萃
• 省級(jí)杭州電子科技大學(xué)學(xué)報(bào)(社會(huì)科學(xué)版)
• 國(guó)家級(jí)《消費(fèi)電子》
• 國(guó)家級(jí)信息空間
• 省級(jí)《湖南文理學(xué)院學(xué)報(bào)》
• 國(guó)家級(jí)電子經(jīng)理世界
• 國(guó)家級(jí)《計(jì)算機(jī)光盤軟件與應(yīng)用》
• 國(guó)家級(jí)《傳感器與微系統(tǒng)》
• 省級(jí)《上海信息化》
• 省級(jí)《信號(hào)處理》
• 國(guó)家級(jí)《系統(tǒng)仿真學(xué)報(bào)》
• 省級(jí)《信息通信》
• 國(guó)家級(jí)《數(shù)碼世界》
• 國(guó)家級(jí)《微電腦世界》
• 北大核心《應(yīng)用激光》
• 國(guó)家級(jí)《國(guó)土資源信息化》

　　核心期刊推薦