【雜志簡(jiǎn)介】

　　《人工晶體學(xué)報(bào)》是由中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體生長(zhǎng)與材料分會(huì)和中非人工晶體研究院聯(lián)合主辦，由《人工晶體學(xué)報(bào)》編輯委員會(huì)編輯，人工晶體學(xué)報(bào)社出版的國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)性期刊，是我國(guó)唯一專(zhuān)門(mén)刊登人工晶體材料這一高新技術(shù)研究領(lǐng)域成果的學(xué)術(shù)性刊物。《人工晶體學(xué)報(bào)》以“讓中國(guó)晶體走向世界讓世界關(guān)注中國(guó)晶體”為己任，論文年內(nèi)容集中反映了我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的最新成果，覆蓋了本學(xué)科的所有研究項(xiàng)目和應(yīng)用領(lǐng)域，成為世界了解我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的重要窗口。《人工晶體學(xué)報(bào)》以論文和簡(jiǎn)報(bào)等形式及時(shí)報(bào)道我國(guó)在晶體材料：半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷等在理論研究、生長(zhǎng)技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的最新科研成果，同時(shí)介紹國(guó)內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動(dòng)態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動(dòng)及會(huì)展信息。刊戶(hù)覆蓋以上各行業(yè)的大專(zhuān)院校、科研院所、生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位和省(市)圖書(shū)館、政府相關(guān)部門(mén)，該刊已在美、日、英、俄、德等國(guó)家和地區(qū)發(fā)行。學(xué)報(bào)編委會(huì)由全國(guó)30多位知名院士、教授和專(zhuān)家組成，負(fù)責(zé)確定《學(xué)報(bào)》的辦刊宗旨及審定論文的質(zhì)量。

　　本刊為美國(guó)《工程索引》(EI)收錄源期刊;此外，早已收錄《學(xué)報(bào)》的其它國(guó)際著名檢索系統(tǒng)有：美國(guó)《化學(xué)文摘》(CA)，英國(guó)《科學(xué)文摘》(INSPEC)，日本《科技文獻(xiàn)速報(bào)》(JICST)，俄羅斯《文摘雜志》(AJ)。在國(guó)內(nèi)，《人工晶體學(xué)報(bào)》為"中文核心期刊";已被《中國(guó)科技文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)》收錄，全文內(nèi)容在"萬(wàn)方數(shù)據(jù)--數(shù)字化期刊群"系統(tǒng)上網(wǎng);被《中國(guó)期刊網(wǎng)》、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤(pán)版)》全文收錄;是《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫(kù)》來(lái)源期刊;《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國(guó)優(yōu)秀科技期刊”獎(jiǎng),并多次榮獲部級(jí)“科技優(yōu)秀期刊”等多種獎(jiǎng)勵(lì)。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，目前《人工晶體學(xué)報(bào)》日益受到國(guó)內(nèi)外讀者的廣泛歡迎，受到美國(guó)、俄羅斯、日本、捷克等國(guó)外科研企業(yè)的高度關(guān)注，國(guó)外有關(guān)公司已通過(guò)《學(xué)報(bào)》所展示的信息與國(guó)內(nèi)有關(guān)單位進(jìn)行了廣泛接觸與交流。他們的目標(biāo)是追蹤高科技前沿，主推高學(xué)術(shù)水平，展示技術(shù)與工程的結(jié)合，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　1997年獲全國(guó)第二屆優(yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)

　　1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎(jiǎng)

　　1989年獲優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：學(xué)術(shù)論文、簡(jiǎn)報(bào)。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　1 制約硅晶片減薄因素研究分析 劉騰云;葛培琪;高玉飛; 1719-1724

　　2 應(yīng)變對(duì)單層碘化鉛的能帶及光電導(dǎo)率影響的第一性原理研究 郝東;朱世富;趙北君;朱興華;何知宇;楊定宇;孫輝; 1725-1730+1747

　　3 YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超導(dǎo)薄膜的制備及其特性研究 汪薪生;郭峰;任澤龍;李國(guó)興;張寶林; 1731-1735

　　4 聚吡咯修飾鋰釩氧納米管的制備及其電化學(xué)性能研究 崔朝軍;孫興川;李現(xiàn)常;李成波;牛永生; 1736-1740+1747

　　5 4H-SiC的強(qiáng)氧化液化學(xué)機(jī)械拋光(英文) 梁慶瑞;胡小波;陳秀芳;徐現(xiàn)剛;宗艷民;王希杰; 1741-1747

　　6 基于負(fù)性光刻膠掩膜的濕法多晶硅制絨 丁彬;程現(xiàn)鐵;徐國(guó)慶;張宏; 1748-1753

　　7 PET在乙酸溶液中的晶體生長(zhǎng)探索 蘇佳樂(lè);常新安;陳學(xué)安;肖衛(wèi)強(qiáng);張書(shū)峰;臧和貴; 1754-1757

　　8 Sc_2O_3對(duì)水熱法生長(zhǎng)ZnO晶體的影響 左艷彬;周海濤;王金亮;何小玲;任孟德;張昌龍; 1758-1763

　　9 氯氧化鉍晶體的制備及其表征研究 馬春陽(yáng);吳飛飛;王金東;肖清貴;徐紅彬; 1764-1767+1772

　　10 近紫外白光LED用KBa_2(NbO_3)_5∶Eu3+紅色熒光粉的合成與發(fā)光性能 李登宇;王海波;朱月華;邢海東;施豐華;卓寧澤; 1768-1772

　　11 三元納米層狀Ta_2AlC原位合成機(jī)制 田寶娜;應(yīng)國(guó)兵;王鵬舉;王乘;吳玉萍; 1773-1777

　　12 負(fù)極集流體為CNT導(dǎo)電紙的鋰離子電池及其性能 劉珍紅;孫曉剛;吳小勇;龐志鵬;聶艷艷;岳立福; 1778-1782

　　13 ZnO/TiO_2復(fù)合光陽(yáng)極染料敏化太陽(yáng)能電池的研究 王艷香;高智丹;楊志勝;黃麗群;李家科;孫健; 1783-1789

　　電子技術(shù)應(yīng)用論文：基于隨機(jī)森林的跌倒檢測(cè)算法

　　摘要：針對(duì)現(xiàn)有跌倒檢測(cè)算法由于缺乏真實(shí)老人跌倒樣本以及使用年輕人仿真跌倒樣本規(guī)模較小導(dǎo)致的過(guò)擬合和適應(yīng)性不足等問(wèn)題，提出了基于隨機(jī)森林的跌倒檢測(cè)算法。該算法采用滑動(dòng)窗口機(jī)制，對(duì)窗口內(nèi)的加速度數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)間域和變換域處理，提取時(shí)間域和變換域特征參數(shù)后，在所有樣本集中進(jìn)行有放回的Bootstrap隨機(jī)抽樣和屬性隨機(jī)選擇，構(gòu)建多個(gè)基于最佳屬性分割的支持向量機(jī)(SVM)基本分類(lèi)器。在線跌倒檢測(cè)階段，對(duì)多個(gè)SVM基本分類(lèi)器的分類(lèi)結(jié)果采用少數(shù)服從多數(shù)的原則，給出最終判定結(jié)果。實(shí)驗(yàn)表明，隨機(jī)森林跌倒檢測(cè)算法可獲得95.2%的準(zhǔn)確率、90.6%的敏感度和93.5%的特異性，明顯優(yōu)于基于SVM和反向傳播(BP)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)跌倒檢測(cè)算法，反映出隨機(jī)森林跌倒檢測(cè)算法能更準(zhǔn)確地檢測(cè)跌倒行為，具有較強(qiáng)的泛化能力和魯棒性。

　　關(guān)鍵詞：跌倒檢測(cè),隨機(jī)森林,支持向量機(jī),反向傳播神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),屬性

　　人工晶體學(xué)報(bào)最新期刊目錄

輻射探測(cè)用金屬鹵化物鈣鈦礦單晶閃爍體————作者：張磊磊;薛澤旭;孫煉;劉陽(yáng);王魯凱;王尊剛;

摘要：閃爍體是一種通過(guò)粒子輻射或電離射線輻射激發(fā)發(fā)光的材料，經(jīng)過(guò)100多年的發(fā)展，已廣泛應(yīng)用于高能物理、天體物理、輻射成像、國(guó)土安全等領(lǐng)域。現(xiàn)市面上所售閃爍體探測(cè)器材料大多為NaI:Tl、LaBr₃:Ce等離子摻雜型發(fā)光閃爍體，有易潮解、自放射性本底、高脆性等缺點(diǎn)，已逐漸不能滿足日益復(fù)雜的輻射探測(cè)應(yīng)用場(chǎng)景。金屬鹵化物鈣鈦礦閃爍材料因其結(jié)構(gòu)可調(diào)性和化學(xué)組分多樣性的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出比傳統(tǒng)無(wú)...

I^-摻雜Cs₃Bi₂Br₉晶體的生長(zhǎng)及其光學(xué)性能調(diào)控————作者：陳思賢;徐樂(lè);唐遠(yuǎn)之;孫海濱;郭學(xué);馮玉潤(rùn);胡強(qiáng)強(qiáng);

摘要：本文采用溶液降溫法成功制備了I^-摻雜的Cs₃Bi₂Br₉晶體(Cs₃Bi₂I_xBr_9-x)，系統(tǒng)研究了I^-摻雜對(duì)Cs₃Bi₂Br₉晶體結(jié)...

添加劑輔助生長(zhǎng)CsPbBr₃單晶及其γ射線探測(cè)性能————作者：陳燃;趙嘯;孟鋼;Gnatyuk Volodymyr;倪友保;王時(shí)茂;

摘要：CsPbBr₃單晶具有高原子序數(shù)、高載流子遷移率壽命積、高電阻率和對(duì)X/γ射線的阻擋能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是一種極具應(yīng)用前景的半導(dǎo)體輻射探測(cè)材料。CsPbBr₃單晶可以通過(guò)溶液法低成本生長(zhǎng)，但溶液法生長(zhǎng)CsPbBr₃單晶具有擇優(yōu)取向，獲得的晶體多呈棒狀，不利于器件制備，且晶體生長(zhǎng)速度較快，單晶內(nèi)容易出現(xiàn)孿晶等缺陷。本文在逆溫度結(jié)晶法生長(zhǎng)Cs...

薄膜制備方法及其結(jié)晶行為對(duì)鹵化物鈣鈦礦X射線探測(cè)器成像性能的影響研究綜述————作者：偰航;靳志文;

摘要：X射線探測(cè)器在醫(yī)療診斷、安全檢查、工業(yè)探傷和科學(xué)研究等領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。鹵化物鈣鈦礦（HPs）因其X射線吸收系數(shù)大、載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)、發(fā)光性能優(yōu)異等特點(diǎn)，在高性能X射線探測(cè)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。特別是HPs制備方式靈活，能夠方便地加工為多晶膜、晶片等形態(tài)。然而，不同制備方法及其結(jié)晶行為將導(dǎo)致活性層內(nèi)的結(jié)晶取向、晶界數(shù)目、裂紋針孔等器件缺陷以不同的形態(tài)分布，顯著影響了載流子和閃爍光的傳輸，對(duì)器...

全無(wú)機(jī)錫鈣鈦礦CsSnBr₃晶體的生長(zhǎng)和電學(xué)、光學(xué)性能研究————作者：蕭岱楨;高榮;陳怡;米啟兮;

摘要：使用布里奇曼法成功制備了Φ12 mm×35 mm的摻雜1%Sn（Ⅳ）與未摻雜的CsSnBr₃晶體，并以溶液法生長(zhǎng)的CsSnBr₃晶體作為對(duì)照，對(duì)全部晶體樣品進(jìn)行了物相、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)研究。CsSnBr₃晶體屬于立方晶系，空間群Pm-3m。未摻雜的CsSnBr₃的禁帶寬度為1.79 eV，摻雜1%的Sn（Ⅳ）可以...

輻射探測(cè)器用CsPbBr₃晶體的缺陷研究進(jìn)展————作者：李寧;張欣雷;肖寶;張濱濱;

摘要：CsPbBr₃晶體因高原子序數(shù)、優(yōu)異的載流子輸運(yùn)性能及室溫工作特性，成為新一代半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的核心候選材料。然而，晶體中的缺陷（如點(diǎn)缺陷、孿晶、夾雜相）會(huì)顯著影響其性能。本綜述系統(tǒng)分析了CsPbBr₃中缺陷的形成機(jī)制及其對(duì)載流子傳輸?shù)闹萍s：晶格極化子效應(yīng)主導(dǎo)本征散射，點(diǎn)缺陷（如Pb間隙原子）通過(guò)深能級(jí)陷阱加劇載流子復(fù)合；鐵彈疇（孿晶）因界面勢(shì)壘導(dǎo)致載流...

量子剪裁型鐿離子摻雜鈣鈦礦納米晶的合成及其在X射線多能譜成像中的新應(yīng)用————作者：惠娟;楊旸;

摘要：近年來(lái)，稀土離子摻雜鈣鈦礦材料憑借其優(yōu)異的光電特性、可調(diào)節(jié)的帶隙及獨(dú)特的量子剪裁效應(yīng)，在光電功能材料領(lǐng)域引起了研究者的廣泛關(guān)注。其中，鐿離子(Yb³⁺)摻雜鈣鈦礦納米材料因其顯著的光學(xué)特性，如超大的斯托克斯位移、超過(guò)100%的熒光量子產(chǎn)率及高效的近紅外發(fā)光，在X射線成像、多能譜X射線成像、熒光型太陽(yáng)能聚光器、太陽(yáng)能電池和近紅外電致發(fā)光器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文聚焦于...

0維鈣鈦礦Cs₃CdBr₅的晶體生長(zhǎng)與閃爍性能研究————作者：賈宇楨;李政隆;顏欣龍;王瑞辰;彭晨;段韋恒;楊偉虎;何偉民;宋柏君;程瑤;范瀟宇;楊帆;

摘要：本文使用坩堝下降法制備了φ5 mm的Cs₃CdBr₅單晶，在晶錠錐部發(fā)現(xiàn)了CsBr包裹Cs₃CdBr₅形成的Cs₃CdBr₅-CsBr復(fù)合閃爍體。對(duì)晶體進(jìn)行了物相分析，解釋了復(fù)合閃爍體形成的原因，并對(duì)晶體進(jìn)行了光致發(fā)光與X射線激發(fā)發(fā)光性能研究。Cs₃

錫基鈣鈦礦晶體與器件的研究進(jìn)展————作者：張淑藝;劉庚靈;王浩;魯躍;姜顯園;李文焯;劉聰;呂英波;武中臣;劉董;陳耀;

摘要：隨著全球?qū)Νh(huán)境友好型光電材料需求的不斷增長(zhǎng)，錫基鹵化物鈣鈦礦因環(huán)境友好及優(yōu)異的光電性能，逐漸成為替代傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦的重要候選材料。盡管錫基鈣鈦礦在光吸收、載流子輸運(yùn)等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，但Sn²⁺極易氧化，加上快速結(jié)晶過(guò)程中容易形成晶格缺陷，使材料穩(wěn)定性和器件性能受到較大影響。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外研究者圍繞錫基鈣鈦礦的晶體生長(zhǎng)、缺陷調(diào)控及界面工程開(kāi)展了大量系統(tǒng)性研究，提出了逆溫結(jié)晶...

CsPbBr₃鈣鈦礦量子點(diǎn)閃爍體的X射線輻照穩(wěn)定性————作者：楊智;顧林園;王大偉;徐旭輝;宋繼中;

摘要：在工業(yè)無(wú)損檢測(cè)應(yīng)用中，閃爍體需長(zhǎng)期承受高劑量輻照，因此其輻照發(fā)光穩(wěn)定性至關(guān)重要，準(zhǔn)確的輻照穩(wěn)定性評(píng)估對(duì)于預(yù)測(cè)閃爍體壽命及分析性能衰減規(guī)律具有重要的工程價(jià)值。CsPbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn)閃爍體以其高輻射硬度、強(qiáng)X射線阻止能力、納秒發(fā)光時(shí)間、低溫合成工藝、可大面積及柔性制造等優(yōu)異的性能而備受關(guān)注。本研究通過(guò)固相熱成型工藝制造了CsPbBr₃量子點(diǎn)閃爍體，形貌分析表明量子點(diǎn)均勻地分散...

通過(guò)缺陷和應(yīng)變工程控制Janus MoSSe的析氫反應(yīng)————作者：劉勁松;沈露;任龍軍;黃希忠;

摘要：Janus過(guò)渡金屬二硫族化合物（TMDs）因獨(dú)特的不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)而展現(xiàn)出優(yōu)異的電子、光學(xué)和催化性能，在納米催化和熱電等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本研究采用第一性原理計(jì)算方法，系統(tǒng)研究了具有典型空位缺陷的Janus MoSSe單層的穩(wěn)定性及其析氫反應(yīng)（HER）性能。研究結(jié)果表明，單層Janus MoSSe在HER過(guò)程中的吉布斯自由能顯著降低至約0.5 eV，明顯低于原始MoSSe和傳統(tǒng)MoS_2<...

液態(tài)防護(hù)膜的制備及性能研究————作者：李艷;韓筍;許程;

摘要：為了優(yōu)化光學(xué)薄膜的防護(hù)性能，延長(zhǎng)使用壽命，本文創(chuàng)新性地采用液態(tài)防護(hù)膜來(lái)保護(hù)光學(xué)薄膜，制備了三種不同的液態(tài)防護(hù)膜，包括純物質(zhì)防護(hù)膜、混合液態(tài)防護(hù)膜和膠體防護(hù)膜。探究三種液態(tài)防護(hù)膜的透過(guò)率、激光損傷閾值（LIDT）和自修復(fù)性能，并對(duì)液態(tài)防護(hù)膜的防護(hù)效果進(jìn)行研究。結(jié)果表明，三種液態(tài)防護(hù)膜中膠體防護(hù)膜性能最為優(yōu)異，其中的SiO₂膠體透過(guò)率達(dá)91.8%，LIDT達(dá)34.2 J/cm

鋼纜直徑對(duì)大尺寸直拉單晶硅生長(zhǎng)穩(wěn)定性的影響————作者：朱麗濤;劉磊;原帥;周聲浪;張華利;汪晨;高宇;曹建偉;余學(xué)功;楊德仁;

摘要：直拉單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了更大尺寸晶體的生產(chǎn)。目前，在重復(fù)拉晶過(guò)程中，單爐最后一根晶體的質(zhì)量通常達(dá)到600～800 kg，已超過(guò)成熟技術(shù)中提拉鋼纜的工程載荷上限。本文報(bào)道了設(shè)備改造中因增加提拉鋼纜直徑而引發(fā)的穩(wěn)定性問(wèn)題及其解決方案。研究發(fā)現(xiàn)，鋼纜增粗后剛性增強(qiáng)，導(dǎo)致籽晶發(fā)生傾斜，進(jìn)而在低負(fù)載時(shí)引發(fā)棱線偏移，在高負(fù)載時(shí)增加細(xì)頸斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)控制變量實(shí)驗(yàn)，本研究確認(rèn)鋼纜增粗后晶體生長(zhǎng)穩(wěn)定性的問(wèn)題...

襯底類(lèi)型對(duì)生長(zhǎng)多晶金剛石膜應(yīng)力和結(jié)晶度影響研究————作者：李翔;陳根;沈潔;祝銘輝;

摘要：不同襯底材料會(huì)影響多晶金剛石的結(jié)晶度和應(yīng)力。本文采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）設(shè)備，研究三種不同襯底（W、Si和Mo）對(duì)沉積多晶金剛石膜應(yīng)力和結(jié)晶度的影響。首先，為降低邊緣效應(yīng)，通過(guò)數(shù)值模擬、OES光譜分析方式優(yōu)化并驗(yàn)證了沉積金剛石膜的最佳基臺(tái)高度是16 mm。在相同工藝條件下生長(zhǎng)多晶金剛石薄膜，利用拉曼光譜、SEM比較三種襯底沉積金剛石的結(jié)晶度和質(zhì)量，三種襯底生長(zhǎng)的金剛石晶面取向主要...

MOCVD載氣流量對(duì)GaN外延生長(zhǎng)的影響————作者：李亞洲;馬占紅;姚威振;楊少延;劉祥林;李成明;王占國(guó);

摘要：本文基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)，在6英寸Si （111）襯底上外延生長(zhǎng)了GaN薄膜，通過(guò)橢圓偏振光譜儀、高分辨X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡及透射電子顯微鏡等測(cè)試分析手段表征了GaN薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌及晶體質(zhì)量，研究了GaN薄膜生長(zhǎng)時(shí)的H₂載氣流量變化對(duì)GaN生長(zhǎng)均勻性及晶體質(zhì)量的影響。結(jié)果表明，隨著H₂載氣流量的增加，...

基于SBA-15介孔氧化硅遞藥系統(tǒng)的構(gòu)建及提高茴拉西坦溶出度的研究————作者：牟涵清;呂江維;王鵬光;余科徹;高廣宇;張文君;

摘要：為了提高難溶性藥物茴拉西坦（ANI）的溶解度和溶出度，以P123為模板劑制備了SBA-15介孔氧化硅載體，并加入擴(kuò)孔劑1，3，5-三甲苯（TMB）得到了擴(kuò)大孔徑的擴(kuò)孔L-SBA-15載體，將ANI負(fù)載于SBA-15和L-SBA-15兩種載體上構(gòu)建了基于SBA-15介孔氧化硅的遞藥系統(tǒng)。通過(guò)SEM、TEM、FTIR、XRD和N₂吸附-脫附測(cè)試等表征方法對(duì)載藥前后載體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行分...

Co摻雜Na_0.5Bi_4.5Ti₄O₁₅鉍層狀無(wú)鉛壓電陶瓷制備及電學(xué)性能研究————作者：張飛洋;閆鋒;婁岳;李波江;李杰;

摘要：使用傳統(tǒng)固相反應(yīng)法制備了Na_0.5Bi_4.5Ti_4-xCo_xO₁₅（x=0、0.025、0.050、0.075）鉍層狀無(wú)鉛壓電陶瓷。采用XRD、SEM、EDS、XPS及相關(guān)電學(xué)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)表征了樣品的晶體結(jié)構(gòu)、斷面形貌、氧空位情況及介電、壓電、鐵電等性能，探究不同Co摻雜含量對(duì)陶瓷性能的影...

熱屏影響下直拉法單晶硅生長(zhǎng)能耗及傳熱路徑研究————作者：祁超;李登輦;李早陽(yáng);楊垚;鐘澤琪;劉立軍;

摘要：?jiǎn)尉Ч枋翘��?yáng)能電池的主要原材料，其生長(zhǎng)成本直接影響電池的制造成本。因此，降低單晶硅生長(zhǎng)能耗對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)的降本增效至關(guān)重要。本文建立了直拉單晶硅生長(zhǎng)的全局3D數(shù)值模型，考慮了單晶爐中加熱器、電極等非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，能夠更精確地模擬單晶爐內(nèi)的流動(dòng)和傳熱過(guò)程。基于所建立的數(shù)值模型，研究了熱屏冷（熱）側(cè)發(fā)射率對(duì)單晶爐內(nèi)能耗分配及輻射、對(duì)流和導(dǎo)熱傳熱路徑的影響規(guī)律。結(jié)果表明，冷、熱側(cè)發(fā)射率的降低均可取得明顯的降...

高效可重現(xiàn)的SbI₃聲化學(xué)合成及其薄膜制備————作者：李晴雯;鐘敏;

摘要：二維金屬鹵化物近年來(lái)成為研究熱點(diǎn)，其中三碘化銻(SbI₃)因具有光學(xué)各向異性、較高的折射率、二次諧波等特性用于輻射探測(cè)器和光電器件。但SbI₃價(jià)格昂貴，限制了其大規(guī)模應(yīng)用。本文以銻粉和碘粉為原料，首次采用聲化學(xué)方法合成了SbI₃，并研究了超聲時(shí)間、反應(yīng)溶劑、Sb物質(zhì)的量及銻碘摩爾比對(duì)產(chǎn)物的影響，并以此粉體為原料制得SbI_3...

微下拉法Er∶CNGG晶體的生長(zhǎng)及光譜性能研究————作者：陳子航;王曉丹;劉堅(jiān);劉鵬;徐曉東;徐軍;

摘要：采用微下拉法生長(zhǎng)出摻雜濃度（原子數(shù)分?jǐn)?shù)）為0.3%、2.0%、3.0%和5.0%的Er∶CNGG晶體。X射線衍射（XRD）測(cè)試表明Er∶CNGG晶體屬于立方晶系。測(cè)試了Er∶CNGG晶體的吸收光譜、熒光光譜和熒光衰減曲線。5.0%Er∶CNGG晶體在968 nm處的吸收系數(shù)為1.70 cm^-1，半峰全寬（FWHM）為17.5 nm，可有效匹配商用激光二極管泵浦源。5.0%Er...

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