【雜志簡(jiǎn)介】

　　《人工晶體學(xué)報(bào)》是由中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體生長(zhǎng)與材料分會(huì)和中非人工晶體研究院聯(lián)合主辦，由《人工晶體學(xué)報(bào)》編輯委員會(huì)編輯，人工晶體學(xué)報(bào)社出版的國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)性期刊，是我國(guó)唯一專門刊登人工晶體材料這一高新技術(shù)研究領(lǐng)域成果的學(xué)術(shù)性刊物。《人工晶體學(xué)報(bào)》以“讓中國(guó)晶體走向世界讓世界關(guān)注中國(guó)晶體”為己任，論文年內(nèi)容集中反映了我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的最新成果，覆蓋了本學(xué)科的所有研究項(xiàng)目和應(yīng)用領(lǐng)域，成為世界了解我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的重要窗口。《人工晶體學(xué)報(bào)》以論文和簡(jiǎn)報(bào)等形式及時(shí)報(bào)道我國(guó)在晶體材料：半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷等在理論研究、生長(zhǎng)技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的最新科研成果，同時(shí)介紹國(guó)內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動(dòng)態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動(dòng)及會(huì)展信息。刊戶覆蓋以上各行業(yè)的大專院校、科研院所、生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位和省(市)圖書館、政府相關(guān)部門，該刊已在美、日、英、俄、德等國(guó)家和地區(qū)發(fā)行。學(xué)報(bào)編委會(huì)由全國(guó)30多位知名院士、教授和專家組成，負(fù)責(zé)確定《學(xué)報(bào)》的辦刊宗旨及審定論文的質(zhì)量。

　　本刊為美國(guó)《工程索引》(EI)收錄源期刊;此外，早已收錄《學(xué)報(bào)》的其它國(guó)際著名檢索系統(tǒng)有：美國(guó)《化學(xué)文摘》(CA)，英國(guó)《科學(xué)文摘》(INSPEC)，日本《科技文獻(xiàn)速報(bào)》(JICST)，俄羅斯《文摘雜志》(AJ)。在國(guó)內(nèi)，《人工晶體學(xué)報(bào)》為"中文核心期刊";已被《中國(guó)科技文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫》收錄，全文內(nèi)容在"萬方數(shù)據(jù)--數(shù)字化期刊群"系統(tǒng)上網(wǎng);被《中國(guó)期刊網(wǎng)》、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤版)》全文收錄;是《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫》來源期刊;《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國(guó)優(yōu)秀科技期刊”獎(jiǎng),并多次榮獲部級(jí)“科技優(yōu)秀期刊”等多種獎(jiǎng)勵(lì)。經(jīng)過多年的發(fā)展，目前《人工晶體學(xué)報(bào)》日益受到國(guó)內(nèi)外讀者的廣泛歡迎，受到美國(guó)、俄羅斯、日本、捷克等國(guó)外科研企業(yè)的高度關(guān)注，國(guó)外有關(guān)公司已通過《學(xué)報(bào)》所展示的信息與國(guó)內(nèi)有關(guān)單位進(jìn)行了廣泛接觸與交流。他們的目標(biāo)是追蹤高科技前沿，主推高學(xué)術(shù)水平，展示技術(shù)與工程的結(jié)合，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　1997年獲全國(guó)第二屆優(yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)

　　1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎(jiǎng)

　　1989年獲優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：學(xué)術(shù)論文、簡(jiǎn)報(bào)。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　1 制約硅晶片減薄因素研究分析 劉騰云;葛培琪;高玉飛; 1719-1724

　　2 應(yīng)變對(duì)單層碘化鉛的能帶及光電導(dǎo)率影響的第一性原理研究 郝東;朱世富;趙北君;朱興華;何知宇;楊定宇;孫輝; 1725-1730+1747

　　3 YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超導(dǎo)薄膜的制備及其特性研究 汪薪生;郭峰;任澤龍;李國(guó)興;張寶林; 1731-1735

　　4 聚吡咯修飾鋰釩氧納米管的制備及其電化學(xué)性能研究 崔朝軍;孫興川;李現(xiàn)常;李成波;牛永生; 1736-1740+1747

　　5 4H-SiC的強(qiáng)氧化液化學(xué)機(jī)械拋光(英文) 梁慶瑞;胡小波;陳秀芳;徐現(xiàn)剛;宗艷民;王希杰; 1741-1747

　　6 基于負(fù)性光刻膠掩膜的濕法多晶硅制絨 丁彬;程現(xiàn)鐵;徐國(guó)慶;張宏; 1748-1753

　　7 PET在乙酸溶液中的晶體生長(zhǎng)探索 蘇佳樂;常新安;陳學(xué)安;肖衛(wèi)強(qiáng);張書峰;臧和貴; 1754-1757

　　8 Sc_2O_3對(duì)水熱法生長(zhǎng)ZnO晶體的影響 左艷彬;周海濤;王金亮;何小玲;任孟德;張昌龍; 1758-1763

　　9 氯氧化鉍晶體的制備及其表征研究 馬春陽;吳飛飛;王金東;肖清貴;徐紅彬; 1764-1767+1772

　　10 近紫外白光LED用KBa_2(NbO_3)_5∶Eu3+紅色熒光粉的合成與發(fā)光性能 李登宇;王海波;朱月華;邢海東;施豐華;卓寧澤; 1768-1772

　　11 三元納米層狀Ta_2AlC原位合成機(jī)制 田寶娜;應(yīng)國(guó)兵;王鵬舉;王乘;吳玉萍; 1773-1777

　　12 負(fù)極集流體為CNT導(dǎo)電紙的鋰離子電池及其性能 劉珍紅;孫曉剛;吳小勇;龐志鵬;聶艷艷;岳立福; 1778-1782

　　13 ZnO/TiO_2復(fù)合光陽極染料敏化太陽能電池的研究 王艷香;高智丹;楊志勝;黃麗群;李家科;孫健; 1783-1789

　　電子技術(shù)應(yīng)用論文：基于隨機(jī)森林的跌倒檢測(cè)算法

　　摘要：針對(duì)現(xiàn)有跌倒檢測(cè)算法由于缺乏真實(shí)老人跌倒樣本以及使用年輕人仿真跌倒樣本規(guī)模較小導(dǎo)致的過擬合和適應(yīng)性不足等問題，提出了基于隨機(jī)森林的跌倒檢測(cè)算法。該算法采用滑動(dòng)窗口機(jī)制，對(duì)窗口內(nèi)的加速度數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)間域和變換域處理，提取時(shí)間域和變換域特征參數(shù)后，在所有樣本集中進(jìn)行有放回的Bootstrap隨機(jī)抽樣和屬性隨機(jī)選擇，構(gòu)建多個(gè)基于最佳屬性分割的支持向量機(jī)(SVM)基本分類器。在線跌倒檢測(cè)階段，對(duì)多個(gè)SVM基本分類器的分類結(jié)果采用少數(shù)服從多數(shù)的原則，給出最終判定結(jié)果。實(shí)驗(yàn)表明，隨機(jī)森林跌倒檢測(cè)算法可獲得95.2%的準(zhǔn)確率、90.6%的敏感度和93.5%的特異性，明顯優(yōu)于基于SVM和反向傳播(BP)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)跌倒檢測(cè)算法，反映出隨機(jī)森林跌倒檢測(cè)算法能更準(zhǔn)確地檢測(cè)跌倒行為，具有較強(qiáng)的泛化能力和魯棒性。

　　關(guān)鍵詞：跌倒檢測(cè),隨機(jī)森林,支持向量機(jī),反向傳播神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),屬性

　　人工晶體學(xué)報(bào)最新期刊目錄

4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底制備————作者：齊占國(guó);王守志;李秋波;王忠新;邵慧慧;劉磊;王國(guó)棟;孫德福;于匯東;蔣鎧澤;張爽;陳秀芳;徐現(xiàn)剛;張雷;

摘要：本研究結(jié)合多孔襯底技術(shù)和應(yīng)力調(diào)控策略，成功突破異質(zhì)外延GaN單晶生長(zhǎng)中的位錯(cuò)延伸與應(yīng)力控制難題，制備出直徑4英寸（1英寸=2.54 cm）的高質(zhì)量GaN單晶。經(jīng)切割、倒角、研磨及化學(xué)機(jī)械拋光等加工后，獲得厚度500 μm的無損傷、超光滑4英寸自支撐GaN單晶襯底。該襯底兼具優(yōu)異的結(jié)晶質(zhì)量與出色的力學(xué)穩(wěn)定性，表面無裂紋，應(yīng)力分布均勻；陰極熒光光譜（CL）表征位錯(cuò)密度為9.6×10⁵

納米空心立方體ZnMn₂O₄/rGO復(fù)合材料的儲(chǔ)鋰性能————作者：張琳;蔡強(qiáng)浩;代漢文;汪燕鳴;王飛;

摘要：ZnMn₂O₄是一種潛在的高比容量鋰離子電池負(fù)極材料，但仍需提高其大電流充放電性能和循環(huán)壽命。本文通過簡(jiǎn)便的室溫微乳液法和后續(xù)煅燒制備了邊長(zhǎng)約200 nm的ZnMn₂O₄空心立方體，由粒徑30～50 nm的納米顆粒相互緊密連接形成。為了提高材料的導(dǎo)電性，將ZnMn₂O₄

p型TBC電池發(fā)射極制備工藝————作者：宋志成;張博;張春福;屈小勇;倪玉鳳;高嘉慶;

摘要：將隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）結(jié)構(gòu)引入背接觸太陽電池結(jié)構(gòu)，制備得到隧穿氧化層鈍化接觸背接觸（tunneling oxide passivated contact back contact， TBC）太陽電池，能夠有效抑制電子、空穴的復(fù)合，提高光電轉(zhuǎn)換效率。本文重點(diǎn)關(guān)注p型TBC太陽電池的發(fā)射極制備工藝，深入研究了p型硅片上制備n型隧穿氧化鈍化接觸結(jié)構(gòu)（n-TOPCon）的制備工藝和鈍化性能，...

側(cè)壁修復(fù)提升237 nm AlGaN基Micro-LED光功率密度研究————作者：郝家龍;李宏博;呂順鵬;朱立財(cái);孫文超;張若甲;劉鐘旭;蔣科;賁建偉;張山麗;孫曉娟;黎大兵;

摘要：AlGaN基深紫外Micro-LED在無掩膜光刻、日盲紫外保密通信等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。然而，側(cè)壁效應(yīng)和電流擁擠效應(yīng)嚴(yán)重制約其高電流密度下的光功率密度。本研究制備了發(fā)光波長(zhǎng)237 nm，臺(tái)面半徑分別為12.5、25.0、50.0 μm的深紫外Micro-LED，并系統(tǒng)探究了側(cè)壁損傷修復(fù)對(duì)不同尺寸和不同陣列化Micro-LED的影響規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn)，使用KOH修復(fù)側(cè)壁可有效降低AlGaN基深紫外Mi...

白云石精制液可控制備高長(zhǎng)徑比碳酸鈣晶須的研究————作者：于豐;鄭強(qiáng);齊婷玉;張郁柏;馬亞麗;賈松巖;李雪;

摘要：以高濃度的白云石精制液為原料，采用碳化法制備高長(zhǎng)徑比文石型碳酸鈣晶須。采用XRD、SEM、TEM等對(duì)碳酸鈣晶須樣品進(jìn)行表征，主要考察了碳化溫度、攪拌速率、CO₂通氣速率、陳化時(shí)間對(duì)碳酸鈣分散程度和長(zhǎng)徑比的影響。研究結(jié)果表明，制備碳酸鈣晶須的最佳工藝條件為：碳化溫度為80 ℃，CO₂通氣速率為25 mL/min，攪拌速率為200 r/min，陳化時(shí)間為1 ...

加熱器結(jié)構(gòu)對(duì)輕摻磷超低氧直拉單晶硅氧雜質(zhì)分布的影響————作者：商潤(rùn)龍;陳亞;芮陽;王黎光;馬成;伊冉;楊少林;

摘要：絕緣柵雙極晶體管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷�，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。作為IGBT芯片的襯底材料，輕摻磷超低氧硅晶圓的品質(zhì)對(duì)IGBT芯片的性能起著至關(guān)重要的作用。由于直拉法（Czochralski，Cz）單晶硅拉制的過程中需要用到含氧的石英坩堝，生長(zhǎng)的單晶硅氧含量通常達(dá)到4×10^...

缺陷氨氟復(fù)合功能化UiO-66的制備及其青蒿琥酯吸附性能的研究————作者：王子豪;劉嘉鈺;董子豪;王宇鑫;許雅旭;朱禹;

摘要：青蒿琥酯，是一種青蒿素衍生的倍半萜類抗瘧藥物，因其對(duì)瘧原蟲的特異作用而引起醫(yī)藥科學(xué)家的關(guān)注。然而，青蒿琥酯提取步驟復(fù)雜，需要使用大量有機(jī)溶劑且能耗高。本實(shí)驗(yàn)利用金屬-有機(jī)框架材料易修飾和多孔的特性，構(gòu)筑出一類功能化的UiO-66應(yīng)用于青蒿琥酯吸附研究。選用氨基和氟基作為親疏水基團(tuán)，研究不同比例對(duì)青蒿琥酯的吸附性能，同時(shí)考慮到UiO-66孔徑尺寸較青蒿琥酯更小，通過添加適量水分子，構(gòu)筑缺陷的功能化鋯...

二維BC₆N/BN橫向異質(zhì)結(jié)的電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)研究————作者：解憂;肖瀟颯;姜寧寧;張濤;

摘要：二維異質(zhì)結(jié)具有新穎的物理和化學(xué)性質(zhì)，在納米電子器件中具有重要應(yīng)用前景。本文構(gòu)建了一種新型BC₆N/BN橫向異質(zhì)結(jié)，基于第一性原理結(jié)合非平衡態(tài)格林函數(shù)方法，對(duì)其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、電子結(jié)構(gòu)、電導(dǎo)率及伏安特性進(jìn)行了系統(tǒng)研究。穩(wěn)定的BC₆N/BN橫向異質(zhì)結(jié)擁有2.01 eV的直接帶隙，異質(zhì)結(jié)界面處產(chǎn)生靜電勢(shì)差，電子與空穴在界面形成了電勢(shì)壘。相較于兩個(gè)單層材料，BC

LiNbO₃/ITO異質(zhì)結(jié)薄膜的制備及光電性質(zhì)研究————作者：朱家怡;杜帥;周鵬飛;鄭凡;陳云琳;

摘要：在200 ℃下采用磁控濺射方法在玻璃襯底與硅基板上濺射沉積LiNbO₃/ITO（LN/ITO）異質(zhì)結(jié)薄膜。通過X射線衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、紫外可見分光光度計(jì)和變溫霍爾效應(yīng)等測(cè)試了該薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及光電性質(zhì)。XRD測(cè)試結(jié)果表明，相比于ITO/LN，LN/ITO疊層順序有更優(yōu)的生長(zhǎng)取向和結(jié)晶性能。AFM結(jié)果顯示，200 ℃下異質(zhì)結(jié)薄膜表面較為平整，鮮少有凸起。...

鈣鈦礦太陽電池中的脒基小分子界面修飾策略————作者：王智超;葉林峰;阮妙;楊超;加雪峰;倪玉鳳;郭永剛;高鵬;

摘要：為了鈍化鈣鈦礦中存在的缺陷，提高鈣鈦礦薄膜質(zhì)量，設(shè)計(jì)了一種新型的小分子2-氨基乙脒二氫溴酸鹽（2AD）對(duì)鈣鈦礦((FA_0.90MA_0.05Cs_0.05)Pb(I_0.96Br_0.04)₃)薄膜進(jìn)行界面修飾，使用氯苯作為反溶劑進(jìn)行1.55 eV帶隙的反式鈣鈦礦太陽電池器件...

一步碳化法制備木棉纖維多孔碳及其對(duì)鋅負(fù)極穩(wěn)定性的影響————作者：宋琪;蔣玲;陳鴻明;李輝富;黃朔;駱麗杰;陳擁軍;

摘要：鋅離子電容器是新興電化學(xué)儲(chǔ)能設(shè)備理想的選擇之一，然而金屬鋅與水系電解液之間的熱力學(xué)反應(yīng)會(huì)引發(fā)腐蝕和不可控的鋅枝晶生長(zhǎng)，嚴(yán)重影響了鋅離子電容器的庫侖效率和使用壽命。為了抑制水系電解液中鋅負(fù)極的不良副反應(yīng)，本文利用木棉纖維生物質(zhì)材料通過一步碳化法制備了具有亞納米通道的多孔碳材料(FC)，并將其涂覆在鋅負(fù)極表面獲得Zn@FC復(fù)合負(fù)極。FC中的亞納米通道可以不斷地吸附溶劑化鋅離子中的水分子，并促進(jìn)逐步去溶...

近紅外Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)光纖的研究進(jìn)展————作者：李帥;張蕾;

摘要：半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料具有獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)特性，在LED、太陽能電池、熒光探針、催化等領(lǐng)域顯示出巨大的應(yīng)用潛力，尤其是Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料，熒光光譜處于近紅外波段且可以覆蓋光纖通信窗口，將其制備成量子點(diǎn)摻雜的光纖在光纖通信領(lǐng)域具有較為廣泛的應(yīng)用。目前發(fā)展的Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)摻雜光纖的制備方法主要有改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法、溶膠凝膠膜涂覆法、空心光纖灌裝固化法、高溫熔融直接拉絲法、管內(nèi)熔融法、玻璃毛細(xì)管...

低位錯(cuò)6英寸銻化鎵單晶生長(zhǎng)與性能研究————作者：楊文文;盧偉;謝輝;劉剛;呂鑫雨;擺易寒;李晨慧;潘教青;趙有文;沈桂英;

摘要：銻化鎵因其優(yōu)越的物理特性和重要的應(yīng)用價(jià)值而受到廣泛關(guān)注。研究團(tuán)隊(duì)采用液封直拉技術(shù)成功生長(zhǎng)出國(guó)內(nèi)首根6英寸n型摻Te銻化鎵單晶錠，加工制備出高質(zhì)量6英寸（1英寸=2.54 cm）銻化鎵單晶襯底，并對(duì)晶體結(jié)晶質(zhì)量和晶片表面性質(zhì)進(jìn)行了研究。測(cè)試結(jié)果表明，銻化鎵襯底（400）面搖擺曲線半峰寬僅為20＂，平均位錯(cuò)密度約為3177 cm^-2，表面粗糙度R_q為0.42...

含d¹⁰電子構(gòu)型鎢酸鹽結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系的第一性原理研究————作者：崔健;和志豪;丁家福;王云杰;萬俯宏;李佳郡;蘇欣;

摘要：本文基于第一性原理方法對(duì)比研究了鎢酸鹽TMWO₄（TM=Zn、Cd、Hg）的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。研究結(jié)果表明，ZnWO₄、CdWO₄和HgWO₄三種鎢酸鹽的帶隙均為直接帶隙，帶隙寬度分別為2.579、2.081和2.538 eV。三種鎢酸鹽價(jià)帶頂部主要為O-2p態(tài)貢獻(xiàn)，由于雜化效應(yīng)，O-2p態(tài)和W-5d態(tài)共同組...

Li₂MoO₄晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)及其發(fā)光性能————作者：劉文宇;錢露;李芳建;潘尚可;孫志剛;陳紅兵;潘建國(guó);

摘要：基于無中微子雙β衰變低溫輻射探測(cè)器的研究，本文研究了Li₂MoO₄晶體生長(zhǎng)以及發(fā)光性能。以市售Li₂MoO₄粉末為初始原料，采用水平區(qū)熔法提純，隨后通過坩堝下降法生長(zhǎng)得到一英寸Li₂MoO₄透明晶體。對(duì)晶體進(jìn)行了物相分析與發(fā)光性能表征。X射線粉末衍射結(jié)果顯示，晶體屬于...

咪唑基離子液修飾鈣鈦礦太陽能電池及其性能研究————作者：加雪峰;阮妙;葉林峰;倪玉鳳;郭永剛;高鵬;

摘要：寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池是晶硅－鈣鈦礦疊層電池的主要組成部分。寬帶隙鈣鈦礦材料存在缺陷密度大、非輻射復(fù)合嚴(yán)重等問題，限制了寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池的發(fā)展。為改善這些問題，本研究提出了一種利用離子液1-丁基-3-甲基咪唑甲磺酸鹽（BMM）修飾鈣鈦礦薄膜的方法。通過研究不同濃度BMM添加劑對(duì)鈣鈦礦薄膜及其電池性能的影響，發(fā)現(xiàn)調(diào)控BMM的添加量能夠提升結(jié)晶質(zhì)量，減少薄膜內(nèi)部的缺陷，從而提高鈣鈦礦太陽能電池性...

對(duì)稱氧化限制結(jié)構(gòu)提高795 nm VCSEL單模功率————作者：賈秀陽;賈志剛;董海亮;陳小東;高茂林;許并社;

摘要：795 nm垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)作為銣原子鐘和量子陀螺儀的激光光源，一般采用單氧化限制結(jié)構(gòu)保證單模輸出，但這種結(jié)構(gòu)輸出功率較小且功耗較高。本文利用PICS3D軟件首先對(duì)不同位置單氧化限制層進(jìn)行模擬分析，結(jié)果表明，氧化限制層越靠近有源區(qū)，其對(duì)載流子的限制能力越強(qiáng)，因此在相同的注入電流條件下器件的輸出功率越高。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了靠近有源區(qū)對(duì)稱雙氧化限制和四氧化限制結(jié)構(gòu)VCSEL，與傳統(tǒng)單氧化...

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅基核輻射探測(cè)器研究進(jìn)展————作者：杜青波;楊亞鵬;高旭東;張智;趙曉宇;王惠琦;劉軼爾;李國(guó)強(qiáng);

摘要：碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料具有寬禁帶、大晶體原子離位閾能及高電子空穴遷移速率等眾多突出優(yōu)勢(shì)，基于其研制的SiC核輻射探測(cè)器具有耐高溫、抗輻照、體積小、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)。高質(zhì)量、大尺寸SiC晶體材料與外延生長(zhǎng)技術(shù)及器件制備工藝的不斷提升，極大地促進(jìn)了SiC基核輻射探測(cè)器的發(fā)展。本文從SiC核輻射探測(cè)器的原理及性能評(píng)價(jià)指標(biāo)入手，分析了輻射探測(cè)時(shí)SiC材料與各種輻射粒子相互作用的方式、主要性能指標(biāo)，以及它們...

具有超高載流子遷移率單層C₂B₆的預(yù)測(cè)————作者：任龍軍;柴什虎;王付遠(yuǎn);姜萍;

摘要：二維材料具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性能，在納米器件的應(yīng)用中具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。本研究提出了一種新型二維材料(單層C₂B₆)，通過第一性原理模擬計(jì)算了其動(dòng)態(tài)和熱穩(wěn)定性。有趣的是，單層C₂B₆具有半導(dǎo)體特性，HSE06計(jì)算方法得出其僅具有約0.671 eV的超窄帶隙。而單層C₂B₆中...

彎曲彈性梁多穩(wěn)態(tài)超材料帶隙調(diào)控特性研究————作者：魏玉華;陳新華;蔣帥;王建廣;李小雙;

摘要：多穩(wěn)態(tài)超材料能夠在外部力作用下發(fā)生變形，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)彈性波傳播的靈活調(diào)控。本文基于雙穩(wěn)態(tài)彎曲彈性梁結(jié)構(gòu)，提出了兩種不同維度彎曲彈性梁多穩(wěn)態(tài)超材料，該超材料具有兩種穩(wěn)定構(gòu)型，并能夠通過外部力的作用在這兩種穩(wěn)定狀態(tài)之間切換。通過有限元方法，系統(tǒng)研究了多穩(wěn)態(tài)超材料在兩種穩(wěn)定構(gòu)型下的色散關(guān)系和頻率響應(yīng)特性。研究結(jié)果表明，通過調(diào)節(jié)外部施加的力，可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的形變，從而有效地調(diào)整帶隙的頻率范圍和寬度。此外，...

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