【雜志簡介】

　　《半導(dǎo)體技術(shù)》以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格，權(quán)威著述，在業(yè)內(nèi)深孚眾望，享譽中外，對我國半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術(shù)成果展示、轉(zhuǎn)化和技術(shù)交流的平臺，達到了促進我國半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展的目的"是《半導(dǎo)體技術(shù)》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務(wù)第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用的發(fā)展趨勢;專題報道：每期就設(shè)計、生產(chǎn)、應(yīng)用等企業(yè)關(guān)注的熱門技術(shù)及焦點論題，進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應(yīng)用：半導(dǎo)體器件的設(shè)計和制造及在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用;工藝技術(shù)與材料：介紹最新的半導(dǎo)體技術(shù)制作工藝和該領(lǐng)域用的新材料;集成電路設(shè)計與開發(fā)：各種IC的設(shè)計和應(yīng)用技術(shù)、設(shè)計工具及發(fā)展動向;封裝、測試與設(shè)備：介紹器件、芯片、電路的測試、設(shè)備和封裝的前沿技術(shù);MEMS技術(shù)：現(xiàn)代管理：半導(dǎo)體代工廠、潔凈廠房、半導(dǎo)體用水及氣體、化學(xué)品，等管理技術(shù);綜合新聞：及時發(fā)布世界各地半導(dǎo)體最新產(chǎn)品及技術(shù)信息。《半導(dǎo)體技術(shù)》的稿件來源于全國各主要研究機構(gòu)、大專院校和企事業(yè)單位等。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　中文核心期刊

　　中國科技論文統(tǒng)計用刊

　　國外數(shù)據(jù)庫收錄：俄羅斯文摘雜志、美國化學(xué)文摘、英國物理學(xué)、電技術(shù)、計算機及控制信息社數(shù)據(jù)庫

　　【欄目設(shè)置】

　　欄目主要設(shè)有： 1中國半導(dǎo)體發(fā)展趨勢論壇(綜述)：誠邀《半導(dǎo)體技術(shù)》的專家顧問發(fā)表精辟觀點和看法;政府主管部門領(lǐng)導(dǎo)提出政策投資建議。 芯片生產(chǎn)工藝技術(shù)：力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術(shù)等。 IC封裝及測試：國外先進封裝技術(shù)如微間距打線技術(shù);BGA; 疊合式/三維封裝;Quad 封裝等。以及IC測試、系統(tǒng)級測試等。新材料新設(shè)備：對半導(dǎo)體支撐材料如納米材料、環(huán)氧膜塑料、硅材料、低介電常數(shù)材料、化合物等及8-12英寸制造設(shè)備、后工序設(shè)備、試驗設(shè)備等加以闡述。全國集成電路產(chǎn)業(yè)介紹：圖文并茂的介紹中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快的地方和基地情況，以利各方參考。企業(yè)：(采訪追明星蹤)針對國內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)的主流企業(yè)進行針對性訪問和系統(tǒng)介紹。為供需雙方提供具有參考價值的范本。新品之窗：對半導(dǎo)體設(shè)計與材料設(shè)備的新產(chǎn)品予以相關(guān)介紹和推薦設(shè)計與應(yīng)用 ：嵌入式系統(tǒng)、PLD/FPGA設(shè)計;通信、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、DSP和多媒體應(yīng)用;電源器件、數(shù)字/模擬IC、消費類/工業(yè)類電子器件等應(yīng)用技術(shù)業(yè)界動態(tài)：綜合報道世界半導(dǎo)體行業(yè)最新動態(tài)會議報道：專門報道行業(yè)相關(guān)會議，傳達精神，指導(dǎo)工作。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　1 西門子解決方案合作伙伴計劃 637

　　2 硅基自旋注入研究進展 盧啟海;黃蓉;鄭礴;李俊;韓根亮;閆鵬勛;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s時間交織流水線A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計 楊陽;張科峰;任志雄;劉覽琦; 647-652+662

　　4 低頻低功耗無源RFID模擬前端設(shè)計與分析 林長龍;孫欣茁;郭振義;李國峰;梁科;王錦; 653-657

　　5 一種高頻E類功率放大器設(shè)計方法 劉超;陳鐘榮; 658-662

　　6 GaAs場效應(yīng)晶體管不同極性ESD損傷機理 林麗艷;李用兵; 663-666

　　7 pH值對低磨料堿性銅拋光液穩(wěn)定性的影響 秦然;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇;武鵬;王娟; 667-670+710

　　8 高濃度臭氧超凈水制備及在硅片清洗中的應(yīng)用 白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等離子體刻蝕多種磁性金屬疊層 劉上賢;汪明剛;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子點邊緣結(jié)構(gòu)和形貌的第一性原理計算 沈濤;梁培;陳欣平;歷強; 679-683

　　11 TSV封裝通孔形態(tài)參數(shù)對焊點熱疲勞壽命的影響 張翼;薛齊文;劉旭東; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圓片級封裝焊點剪切力研究 奚嘉;陳妙;肖斐;龍欣江;張黎;賴志明; 692-698

　　13 點燃產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新之火,IC China推動FPGA產(chǎn)業(yè)發(fā)展 698

　　14 基于可控電流源的太陽電池模型參數(shù)測試方法 張淵博;韓培德;卓國文; 699-705

　　15 用于監(jiān)測硅片應(yīng)力的紅外光彈儀 蘭天寶;潘曉旭;蘇飛; 706-710

　　16 HTCC工藝通用自動上下料系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn) 張超;鄭宏宇;李陽; 711-717

　　17 第一次征稿通知 第11屆國際專用集成電路會議 718-719

　　18 2015’全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會會議通知 720

　　中國廣播電視學(xué)刊投稿：控制理論和控制工程的發(fā)展與應(yīng)用分析

　　摘 要 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷完善和發(fā)展，控制工程與控制理論也得到了不斷的完善，控制理論和控制工程被廣泛應(yīng)用于各大企業(yè)系統(tǒng)生產(chǎn)中。在本篇文章里，筆者在控制工程與控制理論的基礎(chǔ)知識理論上，對控制工程與控制理論的相關(guān)歷史發(fā)展階段進行研究，并且分析了控制理論和控制工程的應(yīng)用，以期望能夠為控制系統(tǒng)的發(fā)展以及相關(guān)研究提供有用的參考依據(jù)。

　　關(guān)鍵詞 控制理論和控制工程,發(fā)展,應(yīng)用

　　控制理論雖然起源于英國18世紀(jì)的技術(shù)革命時期，但是卻在二十一世紀(jì)被廣泛應(yīng)用。隨著社會經(jīng)濟的不斷發(fā)展，控制理論和控制工程被廣泛的應(yīng)用于相關(guān)工程企業(yè)當(dāng)中。在本篇文章里，筆者不僅分析了控制理論和控制工程的發(fā)展，還探索了控制理論和控制工程的應(yīng)用前景。

　　半導(dǎo)體技術(shù)最新期刊目錄

分步離心鑄造制備高效發(fā)光的CsPbX₃納米晶薄膜及其應(yīng)用————作者：張銘軒;陳燃;王時茂;陶汝華;

摘要：銫鉛鹵化物鈣鈦礦(CsPbX₃)納米晶由于其優(yōu)異的光學(xué)特性，在發(fā)光顯示領(lǐng)域展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景。但是在由CsPbX₃納米晶溶液制備固態(tài)熒光粉和薄膜的過程中由于配體的解吸附，存在納米晶光致發(fā)光量子產(chǎn)率（PLQY）大幅下降甚至超過50%的現(xiàn)象。在離心鑄造制備薄膜前引入低速離心工藝去除納米晶溶液中尺寸過大的納米晶，成功制備了3 μm厚的表面均勻無裂縫的CsP...

硅通孔互連結(jié)構(gòu)熱-機械可靠性研究進展————作者：董子萱;倉冬青;趙繼聰;孫海燕;張凱虹;

摘要：高性能計算（HPC）和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的高速發(fā)展推動了封裝技術(shù)的進步，對更高集成度和更小型化電子設(shè)備的需求日益旺盛。傳統(tǒng)的2D封裝技術(shù)在滿足市場對芯片高性能和功能多樣化方面顯露出局限性，而2.5D封裝作為一項補充技術(shù)，已成為提升芯片性能和集成度的重要解決方案之一。因此，硅通孔（TSV）作為2.5D封裝中的核心組成部分，其互連結(jié)構(gòu)的可靠性對2.5D封裝的性能和壽命有直接影響。以TSV的制作工藝及其潛...

強韌一體性Cu/Sn/Ag致密三維網(wǎng)絡(luò)狀接頭結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備————作者：張宏輝;徐紅艷;張煒;劉璇;

摘要：為滿足大功率電力電子器件耐高溫、高可靠性芯片焊接需求，解決Cu/Sn/Ag體系瞬態(tài)液相擴散焊接（TLPS）接頭脆性大、韌性不足、孔隙率高等問題，通過電鍍高純度Cu@Sn核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合粉末，物理氣相沉積鍍覆Ag層，研究了Sn鍍層厚度對接頭強度和孔隙率的影響、Ag鍍層厚度對TLPS接頭抗氧化性能和韌性的影響。結(jié)果表明，電鍍Sn層厚度為2～3 μm時接頭本體相孔隙率最低，抗拉強度達到86 MPa；Cu/S...

一種基于數(shù)字修調(diào)的高精度運算放大器————作者：張益翔;李文昌;阮為;賈晨強;張子歐;張?zhí)煲?劉劍;

摘要：設(shè)計并實現(xiàn)了一款基于數(shù)字修調(diào)技術(shù)的高精度運算放大器，其整體電路包括偏置電路、放大器電路、數(shù)字修調(diào)電路以及靜電放電（ESD）保護電路。放大器的輸入差分對管工作在亞閾值區(qū)，偏置電流設(shè)計為正溫度系數(shù)(PTAT)電流，使得放大器輸入級具有恒跨導(dǎo)。提出了一種失調(diào)電壓修調(diào)結(jié)構(gòu)，通過共模檢測模塊判斷產(chǎn)生失調(diào)的差分對管，并由熔絲陣列控制數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)生對應(yīng)的補償電流，實現(xiàn)對差分對管電流的精確補償，并有效減小失調(diào)電...

柔性銅鋅錫硫硒薄膜太陽能電池研究進展————作者：花浩;孫孿鴻;趙宇;龐楚瀧;

摘要：銅鋅錫硫硒(Cu₂ZnSn（S，Se）₄，CZTSSe)具有組成元素豐富、環(huán)境友好和理論光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點，是一種具有大規(guī)模應(yīng)用潛力的新型光伏材料。相比剛性襯底，柔性CZTSSe薄膜太陽能電池具有質(zhì)輕和可彎折的獨特優(yōu)勢，在光伏建筑一體化、柔性可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。從柔性襯底、殘余應(yīng)力、制備方法、摻雜、界面工程等方面對柔性CZTSSe薄膜太陽...

SiC MOS電容氧化層界面缺陷鈍化效果分析方法————作者：胡燦博;劉俊哲;劉起蕊;尹志鵬;崔鵬飛;王德君;

摘要：SiC MOS器件的柵氧界面缺陷嚴(yán)重影響其性能。采用X射線光電子能譜（XPS）和二次離子質(zhì)譜（SIMS）技術(shù)，識別了SiC MOS電容中的SiO_xC_y和C—C缺陷及其元素分布，并結(jié)合文獻數(shù)據(jù)確定了這些缺陷的能級位置，同時計算了其相應(yīng)的時間常數(shù)。研究表明，這些缺陷的形成與氧元素缺乏密切相關(guān)，氧原子或離子因具有較強的穿透性，可有效消除這些缺陷。為優(yōu)化樣品性能...

一種基于兩步式SAR ADC架構(gòu)的智能溫度傳感器————作者：曹亦棟;陳雷;初飛;李建成;張健;李全利;

摘要：針對高速接口芯片的局部結(jié)溫監(jiān)測問題，設(shè)計了一種基于兩步式逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器（SAR ADC）的片上智能溫度傳感器，該傳感器可配合上位機實現(xiàn)對全芯片溫度的實時監(jiān)測，并輸出數(shù)字溫度碼。電路對橫向pnp三極管的基極-發(fā)射極電壓進行采樣，通過溫度監(jiān)測模塊進行量化比較。電路采用了兩步式SAR ADC進行10 bit數(shù)字溫度碼的轉(zhuǎn)換輸出，兩步式SAR ADC通過調(diào)節(jié)電阻陣列實現(xiàn)粗量化，調(diào)節(jié)比較器輸入管陣列進...

可調(diào)諧MEMS-VCSEL微橋梁制備及其應(yīng)力的影響————作者：朱魯江;孫玉潤;張琪;于淑珍;董建榮;

摘要：針對微電子機械系統(tǒng)（MEMS）的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）中靜電驅(qū)動微橋梁結(jié)構(gòu)制備工藝開展研究，旨在制備平直的懸空微橋梁結(jié)構(gòu)，并通過工藝優(yōu)化提高其可靠性。利用干法刻蝕和濕法腐蝕相結(jié)合的方法刻蝕Ge犧牲層，這種方法既能夠防止?jié)穹ǜ�蝕橫向刻蝕過多，還可以提高Ge和底部電極Ti的刻蝕比。通過XeF₂氣體干法刻蝕去除剩余的Ge以釋放微橋梁結(jié)構(gòu)，避免濕法腐蝕釋放造成的微橋梁結(jié)構(gòu)與...

金-鋁鍵合界面空洞生長動力學(xué)研究————作者：陳柏雨;王波;可帥;黃偉;劉崗崗;潘開林;

摘要：為探究金-鋁鍵合界面處空洞的演化與焊盤厚度的關(guān)系，通過實驗、仿真模擬和理論分析相結(jié)合的方法對金絲和鋁焊盤鍵合點空洞的生長進行了研究。實驗結(jié)果表明，2～3 μm厚Al/0.5%Cu鋁焊盤上采用99.99%金絲鍵合的樣品在300 ℃下貯存24 h后，鍵合界面處產(chǎn)生的空洞數(shù)量與鋁焊盤厚度呈正相關(guān)關(guān)系，該結(jié)果與基于編程軟件的元胞自動機仿真預(yù)測結(jié)果高度一致。空洞的形成規(guī)律符合引入濃度梯度后的金屬擴散理論，即...

超寬禁帶半導(dǎo)體Ga₂O₃功率器件、紫外光電器件的新進展————作者：趙正平;

摘要：在電動汽車等綠色能源應(yīng)用和發(fā)展的帶動下，寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)成為新一代產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主流，而有可能成為下一代電力電子學(xué)發(fā)展的超寬禁帶半導(dǎo)體材料金剛石、Ga₂O₃和AlN已成為目前前瞻性的科研熱點，其中Ga₂O₃在這三種半導(dǎo)體材料中具有單晶尺寸發(fā)展最快、成本最低和功率二極管性能已接近工程化等特點...

一種TTL電平控制的間接加熱式相變材料射頻開關(guān)————作者：劉宗岱;廖龍忠;趙慧豐;陳南庭;何慶國;

摘要：研制了一款晶體管-晶體管邏輯(TTL)電平控制的GeTe材料相變射頻開關(guān)芯片。該芯片采用間接加熱方式設(shè)計，使用高阻硅作為襯底材料、鎢金屬層作為間接加熱微結(jié)構(gòu)、AlN材料作為阻擋層，以提高熱傳導(dǎo)效率，并使用CAD優(yōu)化結(jié)構(gòu)尺寸；選擇合適的電源控制芯片控制脈沖信號的幅度和寬度，將開啟和關(guān)斷脈沖分別降低到了3.3 V/500μs和5.0 V/100μs。測試結(jié)果表明，開關(guān)芯片的開關(guān)電阻比為1.86×10～...

基于改進YOLOv8網(wǎng)絡(luò)模型的芯片BGA缺陷檢測————作者：陳澍元;王鳴昕;趙嘉寧;蔣忠進;

摘要：為提高芯片球柵陣列(BGA)缺陷檢測的精度和效率，提出一種基于改進YOLOv8網(wǎng)絡(luò)模型的芯片BGA缺陷檢測方法。該方法以常規(guī)YOLOv8網(wǎng)絡(luò)模型為基礎(chǔ)，在骨干網(wǎng)絡(luò)中引入雙層路由注意力(BRA)機制，以增強模型捕捉長程依賴和復(fù)雜特征的能力；在檢測頭網(wǎng)絡(luò)中引入雙標(biāo)簽分配策略，從而省略耗時的非極大值抑制(NMS)運算，以提高模型檢測速度；此外，引入Focaler-Wise IoU邊框回歸損失函數(shù)，以提高...

塑封SiC功率器件在高溫?fù)p耗功率下的熱應(yīng)力和斷裂分析————作者：傅朝;王珺;

摘要：塑封SiC功率器件是新能源汽車電力電子技術(shù)的核心，其在高溫環(huán)境、高功率下工作的可靠性是關(guān)鍵問題。對具有頂部散熱結(jié)構(gòu)的塑封SiC功率器件，考慮高溫環(huán)境下芯片的損耗功率，利用有限元分析(FEA)研究了熱應(yīng)力分布，并采用虛擬裂紋閉合技術(shù)(VCCT)分析了塑封器件的界面斷裂問題。結(jié)果表明，塑封器件熱應(yīng)力集中在芯片和焊料層界面，較薄的芯片和適當(dāng)增厚的焊料層可有效降低界面的斷裂風(fēng)險；當(dāng)預(yù)裂紋長度超過100μm...

埋入式晶圓級封裝芯片翹曲有限元仿真及參數(shù)敏感性分析————作者：吳道偉;李賀超;李逵;張雨婷;代巖偉;秦飛;

摘要：作為系統(tǒng)級封裝(SiP)的關(guān)鍵技術(shù)之一，芯片埋置技術(shù)在提高I/O接口數(shù)量方面發(fā)揮著重要作用。伴隨加工工藝溫度變化，埋置芯片產(chǎn)生一定程度的翹曲，導(dǎo)致后續(xù)鋪層的破損，使產(chǎn)品良率降低。針對埋入式晶圓級封裝芯片在加工過程中的翹曲行為進行了模擬和研究。采用均勻化等效建模進行了有限元模擬，并結(jié)合輸入?yún)��?shù)變化和正交實驗分析，研究了材料的彈性模量對芯片翹曲的影響。研究結(jié)果表明，芯片粘結(jié)薄膜(DAF)和鈍化層(PL...

故障電壓誘發(fā)的功率模塊溫升規(guī)律————作者：劉瑋琳;霍思佳;樂應(yīng)波;楊程;崔昊楊;

摘要：故障電壓引發(fā)的功率畸變誘發(fā)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)溫瞬變，但此過程的普遍規(guī)律、關(guān)聯(lián)機制尚未明確，限制了故障電壓穿越期變流器中IGBT熱管理策略的針對性與有效性。通過模擬多種電壓故障場景，探究了故障電壓誘發(fā)的機網(wǎng)兩側(cè)變流器功率模塊溫升規(guī)律，梳理了故障電壓條件下IGBT結(jié)溫演化過程，明確了故障電壓與IGBT結(jié)溫的關(guān)聯(lián)機制。研究結(jié)果表明，結(jié)溫峰值與電壓跌落程度呈顯著正相關(guān)，電壓驟降引發(fā)轉(zhuǎn)子電流劇增...

晶圓鍵合GaAs/InGaAs雙結(jié)太陽電池————作者：蔣卓宇;李娟;孔祥力;代盼;孫強健;

摘要：為了避免直接外延生長引起晶格失配問題，利用晶圓鍵合技術(shù)開發(fā)了GaAs/InGaAs雙結(jié)太陽電池。采用金屬固態(tài)源分子束外延(MBE)生長方法，在GaAs襯底上生長GaAs頂電池，在InP襯底上生長InGaAs底電池。通過晶圓鍵合技術(shù)將這些子電池鍵合在一起，制備了晶圓鍵合GaAs/InGaAs雙結(jié)太陽電池。測試結(jié)果顯示，通過晶圓鍵合技術(shù)制備的雙結(jié)太陽電池具有較低的電損耗，在聚光下獲得了超過31.7%的...

175 ℃反激式高溫直流開關(guān)電源設(shè)計————作者：劉建國;楊依忠;丁瀚;

摘要：為滿足極限環(huán)境下電源系統(tǒng)小型化、耐高溫、高可靠性的要求，設(shè)計了一種基于單端反激拓?fù)涞母綦x型直流穩(wěn)壓電源。針對傳統(tǒng)印刷電路板（PCB）高溫電源體積大、散熱差的局限性，采用厚膜工藝，優(yōu)選高液相點焊接材料，優(yōu)化殼體結(jié)構(gòu)設(shè)計，以達到充分散熱效果。選用TI公司的UC1843高溫型脈寬調(diào)制器作為主控芯片，控制輸出高頻脈沖驅(qū)動功率開關(guān)管，通過變壓器功率變換把能量傳遞到次級。測試結(jié)果表明，該電源模塊的轉(zhuǎn)換效率在滿...

基于查找表均衡的高速SerDes發(fā)送端設(shè)計————作者：陶保明;張春茗;任一凡;戢小亮;

摘要：為使高速串行器/解串器（SerDes）發(fā)送端具有更大的均衡靈活性，采用UMC 28 nm CMOS工藝設(shè)計了一種基于數(shù)字信號處理（DSP）-數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）結(jié)構(gòu)的高速SerDes發(fā)送端。通過將發(fā)送端中前饋均衡功能以查找表（LUT）形式集成至DSP中，靈活應(yīng)對了信道高頻損耗嚴(yán)重和信號完整性問題，并簡化了全定制電路設(shè)計的復(fù)雜度；其主體結(jié)構(gòu)包括DSP、溫度編碼器、重定時器、32:4多路復(fù)用器（MUX...

橫向結(jié)構(gòu)壓接IGBT動態(tài)測試平臺設(shè)計及其寄生電感抑制————作者：袁文遷;季一潤;楊敏祥;槐青;袁茜;郝震;劉鐵城;

摘要：傳統(tǒng)的縱向結(jié)構(gòu)壓接IGBT（PPI）測試平臺的疊層母排區(qū)域互感較強，但PPI與回流銅排的互感較弱，同時無法對被測和陪測器件分別施加不同的機械壓力和溫度。針對這一問題，研制了一種新型橫向結(jié)構(gòu)測試平臺，通過改變IGBT周邊區(qū)域電流分布，增強互感，使該區(qū)域寄生電感值降低了36.9%，有效降低了回路總寄生電感值。且通過將被測IGBT和陪測器件并排布置，可以實現(xiàn)對被測IGBT和陪測續(xù)流二極管（FWD）施加不...

IGBT相變冷板的設(shè)計和數(shù)值模擬————作者：潘子升;周俊屹;余時帆;胡桂林;

摘要：針對絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊散熱中功率密度高且散熱負(fù)荷隨工況變化的問題，基于制冷劑對流散熱和蒸發(fā)潛熱的微通道沸騰相變散熱技術(shù)可對IGBT芯片進行有效散熱，建立了三維、偽瞬態(tài)算法穩(wěn)態(tài)和體積分?jǐn)?shù)法（VOF）相變的綜合數(shù)學(xué)模型。研究了R1233zd、R1234ze、R134a三種相變制冷劑在單塊IGBT微通道沸騰相變散熱器中的散熱性能；在單塊的基礎(chǔ)上進行了多片IGBT串聯(lián)、并聯(lián)、串并聯(lián)三種不同流...

　　相關(guān)電子信息期刊推薦

• 國家級中國原子能科學(xué)研究院年報
• 北大核心《吉林大學(xué)學(xué)報》
• 北大核心《聲學(xué)技術(shù)》
• 省級信息產(chǎn)業(yè)報道
• 國家級電子科技文摘
• 國家級網(wǎng)絡(luò)科技時代
• 國家級電子與電腦
• 省級少年電腦世界低年級
• 南大核心《化學(xué)傳感器》
• 省級《電力電子》
• 省級《現(xiàn)代電力》
• 國家級《電子元器件應(yīng)用》
• 省級《山西師范大學(xué)學(xué)報》
• 國家級軟件工程
• 北大核心武漢大學(xué)學(xué)報工學(xué)版
• 國家級電腦應(yīng)用文萃
• 國家級《數(shù)碼世界》
• 北大核心《指揮控制與仿真》
• 省級《電信網(wǎng)技術(shù)》
• 北大核心《江南大學(xué)學(xué)報》
• 省級《計算機與現(xiàn)代化》
• 國家級《紅外》
• 國家級《自動化博覽》
• 省級《電腦與電信》
• 國家級信息網(wǎng)絡(luò)
• 省級計算機時代
• 省級《甘肅廣播電視大學(xué)學(xué)報》
• 省級電子商務(wù)世界
• 國家級大眾硬件
• 國家級《設(shè)計》

　　核心期刊推薦