人工晶體學(xué)報(bào)最新期刊目錄

輻射探測用金屬鹵化物鈣鈦礦單晶閃爍體————作者：張磊磊;薛澤旭;孫煉;劉陽;王魯凱;王尊剛;

摘要：閃爍體是一種通過粒子輻射或電離射線輻射激發(fā)發(fā)光的材料，經(jīng)過100多年的發(fā)展，已廣泛應(yīng)用于高能物理、天體物理、輻射成像、國土安全等領(lǐng)域�，F(xiàn)市面上所售閃爍體探測器材料大多為NaI:Tl、LaBr₃:Ce等離子摻雜型發(fā)光閃爍體，有易潮解、自放射性本底、高脆性等缺點(diǎn)，已逐漸不能滿足日益復(fù)雜的輻射探測應(yīng)用場景。金屬鹵化物鈣鈦礦閃爍材料因其結(jié)構(gòu)可調(diào)性和化學(xué)組分多樣性的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出比傳統(tǒng)無...

I^-摻雜Cs₃Bi₂Br₉晶體的生長及其光學(xué)性能調(diào)控————作者：陳思賢;徐樂;唐遠(yuǎn)之;孫海濱;郭學(xué);馮玉潤;胡強(qiáng)強(qiáng);

摘要：本文采用溶液降溫法成功制備了I^-摻雜的Cs₃Bi₂Br₉晶體(Cs₃Bi₂I_xBr_9-x)，系統(tǒng)研究了I^-摻雜對(duì)Cs₃Bi₂Br₉晶體結(jié)...

添加劑輔助生長CsPbBr₃單晶及其γ射線探測性能————作者：陳燃;趙嘯;孟鋼;Gnatyuk Volodymyr;倪友保;王時(shí)茂;

摘要：CsPbBr₃單晶具有高原子序數(shù)、高載流子遷移率壽命積、高電阻率和對(duì)X/γ射線的阻擋能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是一種極具應(yīng)用前景的半導(dǎo)體輻射探測材料。CsPbBr₃單晶可以通過溶液法低成本生長，但溶液法生長CsPbBr₃單晶具有擇優(yōu)取向，獲得的晶體多呈棒狀，不利于器件制備，且晶體生長速度較快，單晶內(nèi)容易出現(xiàn)孿晶等缺陷。本文在逆溫度結(jié)晶法生長Cs...

薄膜制備方法及其結(jié)晶行為對(duì)鹵化物鈣鈦礦X射線探測器成像性能的影響研究綜述————作者：偰航;靳志文;

摘要：X射線探測器在醫(yī)療診斷、安全檢查、工業(yè)探傷和科學(xué)研究等領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。鹵化物鈣鈦礦（HPs）因其X射線吸收系數(shù)大、載流子擴(kuò)散長度長、發(fā)光性能優(yōu)異等特點(diǎn)，在高性能X射線探測領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。特別是HPs制備方式靈活，能夠方便地加工為多晶膜、晶片等形態(tài)。然而，不同制備方法及其結(jié)晶行為將導(dǎo)致活性層內(nèi)的結(jié)晶取向、晶界數(shù)目、裂紋針孔等器件缺陷以不同的形態(tài)分布，顯著影響了載流子和閃爍光的傳輸，對(duì)器...

全無機(jī)錫鈣鈦礦CsSnBr₃晶體的生長和電學(xué)、光學(xué)性能研究————作者：蕭岱楨;高榮;陳怡;米啟兮;

摘要：使用布里奇曼法成功制備了Φ12 mm×35 mm的摻雜1%Sn（Ⅳ）與未摻雜的CsSnBr₃晶體，并以溶液法生長的CsSnBr₃晶體作為對(duì)照，對(duì)全部晶體樣品進(jìn)行了物相、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)研究。CsSnBr₃晶體屬于立方晶系，空間群Pm-3m。未摻雜的CsSnBr₃的禁帶寬度為1.79 eV，摻雜1%的Sn（Ⅳ）可以...

輻射探測器用CsPbBr₃晶體的缺陷研究進(jìn)展————作者：李寧;張欣雷;肖寶;張濱濱;

摘要：CsPbBr₃晶體因高原子序數(shù)、優(yōu)異的載流子輸運(yùn)性能及室溫工作特性，成為新一代半導(dǎo)體輻射探測器的核心候選材料。然而，晶體中的缺陷（如點(diǎn)缺陷、孿晶、夾雜相）會(huì)顯著影響其性能。本綜述系統(tǒng)分析了CsPbBr₃中缺陷的形成機(jī)制及其對(duì)載流子傳輸?shù)闹萍s：晶格極化子效應(yīng)主導(dǎo)本征散射，點(diǎn)缺陷（如Pb間隙原子）通過深能級(jí)陷阱加劇載流子復(fù)合；鐵彈疇（孿晶）因界面勢(shì)壘導(dǎo)致載流...

量子剪裁型鐿離子摻雜鈣鈦礦納米晶的合成及其在X射線多能譜成像中的新應(yīng)用————作者：惠娟;楊旸;

摘要：近年來，稀土離子摻雜鈣鈦礦材料憑借其優(yōu)異的光電特性、可調(diào)節(jié)的帶隙及獨(dú)特的量子剪裁效應(yīng)，在光電功能材料領(lǐng)域引起了研究者的廣泛關(guān)注。其中，鐿離子(Yb³⁺)摻雜鈣鈦礦納米材料因其顯著的光學(xué)特性，如超大的斯托克斯位移、超過100%的熒光量子產(chǎn)率及高效的近紅外發(fā)光，在X射線成像、多能譜X射線成像、熒光型太陽能聚光器、太陽能電池和近紅外電致發(fā)光器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文聚焦于...

0維鈣鈦礦Cs₃CdBr₅的晶體生長與閃爍性能研究————作者：賈宇楨;李政隆;顏欣龍;王瑞辰;彭晨;段韋恒;楊偉虎;何偉民;宋柏君;程瑤;范瀟宇;楊帆;

摘要：本文使用坩堝下降法制備了φ5 mm的Cs₃CdBr₅單晶，在晶錠錐部發(fā)現(xiàn)了CsBr包裹Cs₃CdBr₅形成的Cs₃CdBr₅-CsBr復(fù)合閃爍體。對(duì)晶體進(jìn)行了物相分析，解釋了復(fù)合閃爍體形成的原因，并對(duì)晶體進(jìn)行了光致發(fā)光與X射線激發(fā)發(fā)光性能研究。Cs₃

錫基鈣鈦礦晶體與器件的研究進(jìn)展————作者：張淑藝;劉庚靈;王浩;魯躍;姜顯園;李文焯;劉聰;呂英波;武中臣;劉董;陳耀;

摘要：隨著全球?qū)Νh(huán)境友好型光電材料需求的不斷增長，錫基鹵化物鈣鈦礦因環(huán)境友好及優(yōu)異的光電性能，逐漸成為替代傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦的重要候選材料。盡管錫基鈣鈦礦在光吸收、載流子輸運(yùn)等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，但Sn²⁺極易氧化，加上快速結(jié)晶過程中容易形成晶格缺陷，使材料穩(wěn)定性和器件性能受到較大影響。近年來，國內(nèi)外研究者圍繞錫基鈣鈦礦的晶體生長、缺陷調(diào)控及界面工程開展了大量系統(tǒng)性研究，提出了逆溫結(jié)晶...

CsPbBr₃鈣鈦礦量子點(diǎn)閃爍體的X射線輻照穩(wěn)定性————作者：楊智;顧林園;王大偉;徐旭輝;宋繼中;

摘要：在工業(yè)無損檢測應(yīng)用中，閃爍體需長期承受高劑量輻照，因此其輻照發(fā)光穩(wěn)定性至關(guān)重要，準(zhǔn)確的輻照穩(wěn)定性評(píng)估對(duì)于預(yù)測閃爍體壽命及分析性能衰減規(guī)律具有重要的工程價(jià)值。CsPbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn)閃爍體以其高輻射硬度、強(qiáng)X射線阻止能力、納秒發(fā)光時(shí)間、低溫合成工藝、可大面積及柔性制造等優(yōu)異的性能而備受關(guān)注。本研究通過固相熱成型工藝制造了CsPbBr₃量子點(diǎn)閃爍體，形貌分析表明量子點(diǎn)均勻地分散...

通過缺陷和應(yīng)變工程控制Janus MoSSe的析氫反應(yīng)————作者：劉勁松;沈露;任龍軍;黃希忠;

摘要：Janus過渡金屬二硫族化合物（TMDs）因獨(dú)特的不對(duì)稱結(jié)構(gòu)而展現(xiàn)出優(yōu)異的電子、光學(xué)和催化性能，在納米催化和熱電等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本研究采用第一性原理計(jì)算方法，系統(tǒng)研究了具有典型空位缺陷的Janus MoSSe單層的穩(wěn)定性及其析氫反應(yīng)（HER）性能。研究結(jié)果表明，單層Janus MoSSe在HER過程中的吉布斯自由能顯著降低至約0.5 eV，明顯低于原始MoSSe和傳統(tǒng)MoS_2<...

液態(tài)防護(hù)膜的制備及性能研究————作者：李艷;韓筍;許程;

摘要：為了優(yōu)化光學(xué)薄膜的防護(hù)性能，延長使用壽命，本文創(chuàng)新性地采用液態(tài)防護(hù)膜來保護(hù)光學(xué)薄膜，制備了三種不同的液態(tài)防護(hù)膜，包括純物質(zhì)防護(hù)膜、混合液態(tài)防護(hù)膜和膠體防護(hù)膜。探究三種液態(tài)防護(hù)膜的透過率、激光損傷閾值（LIDT）和自修復(fù)性能，并對(duì)液態(tài)防護(hù)膜的防護(hù)效果進(jìn)行研究。結(jié)果表明，三種液態(tài)防護(hù)膜中膠體防護(hù)膜性能最為優(yōu)異，其中的SiO₂膠體透過率達(dá)91.8%，LIDT達(dá)34.2 J/cm

鋼纜直徑對(duì)大尺寸直拉單晶硅生長穩(wěn)定性的影響————作者：朱麗濤;劉磊;原帥;周聲浪;張華利;汪晨;高宇;曹建偉;余學(xué)功;楊德仁;

摘要：直拉單晶硅生長技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了更大尺寸晶體的生產(chǎn)。目前，在重復(fù)拉晶過程中，單爐最后一根晶體的質(zhì)量通常達(dá)到600～800 kg，已超過成熟技術(shù)中提拉鋼纜的工程載荷上限。本文報(bào)道了設(shè)備改造中因增加提拉鋼纜直徑而引發(fā)的穩(wěn)定性問題及其解決方案。研究發(fā)現(xiàn)，鋼纜增粗后剛性增強(qiáng)，導(dǎo)致籽晶發(fā)生傾斜，進(jìn)而在低負(fù)載時(shí)引發(fā)棱線偏移，在高負(fù)載時(shí)增加細(xì)頸斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。通過控制變量實(shí)驗(yàn)，本研究確認(rèn)鋼纜增粗后晶體生長穩(wěn)定性的問題...

襯底類型對(duì)生長多晶金剛石膜應(yīng)力和結(jié)晶度影響研究————作者：李翔;陳根;沈潔;祝銘輝;

摘要：不同襯底材料會(huì)影響多晶金剛石的結(jié)晶度和應(yīng)力。本文采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）設(shè)備，研究三種不同襯底（W、Si和Mo）對(duì)沉積多晶金剛石膜應(yīng)力和結(jié)晶度的影響。首先，為降低邊緣效應(yīng)，通過數(shù)值模擬、OES光譜分析方式優(yōu)化并驗(yàn)證了沉積金剛石膜的最佳基臺(tái)高度是16 mm。在相同工藝條件下生長多晶金剛石薄膜，利用拉曼光譜、SEM比較三種襯底沉積金剛石的結(jié)晶度和質(zhì)量，三種襯底生長的金剛石晶面取向主要...

MOCVD載氣流量對(duì)GaN外延生長的影響————作者：李亞洲;馬占紅;姚威振;楊少延;劉祥林;李成明;王占國;

摘要：本文基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)，在6英寸Si （111）襯底上外延生長了GaN薄膜，通過橢圓偏振光譜儀、高分辨X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡及透射電子顯微鏡等測試分析手段表征了GaN薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌及晶體質(zhì)量，研究了GaN薄膜生長時(shí)的H₂載氣流量變化對(duì)GaN生長均勻性及晶體質(zhì)量的影響。結(jié)果表明，隨著H₂載氣流量的增加，...

基于SBA-15介孔氧化硅遞藥系統(tǒng)的構(gòu)建及提高茴拉西坦溶出度的研究————作者：牟涵清;呂江維;王鵬光;余科徹;高廣宇;張文君;

摘要：為了提高難溶性藥物茴拉西坦（ANI）的溶解度和溶出度，以P123為模板劑制備了SBA-15介孔氧化硅載體，并加入擴(kuò)孔劑1，3，5-三甲苯（TMB）得到了擴(kuò)大孔徑的擴(kuò)孔L-SBA-15載體，將ANI負(fù)載于SBA-15和L-SBA-15兩種載體上構(gòu)建了基于SBA-15介孔氧化硅的遞藥系統(tǒng)。通過SEM、TEM、FTIR、XRD和N₂吸附-脫附測試等表征方法對(duì)載藥前后載體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行分...

Co摻雜Na_0.5Bi_4.5Ti₄O₁₅鉍層狀無鉛壓電陶瓷制備及電學(xué)性能研究————作者：張飛洋;閆鋒;婁岳;李波江;李杰;

摘要：使用傳統(tǒng)固相反應(yīng)法制備了Na_0.5Bi_4.5Ti_4-xCo_xO₁₅（x=0、0.025、0.050、0.075）鉍層狀無鉛壓電陶瓷。采用XRD、SEM、EDS、XPS及相關(guān)電學(xué)參數(shù)測試系統(tǒng)表征了樣品的晶體結(jié)構(gòu)、斷面形貌、氧空位情況及介電、壓電、鐵電等性能，探究不同Co摻雜含量對(duì)陶瓷性能的影...

熱屏影響下直拉法單晶硅生長能耗及傳熱路徑研究————作者：祁超;李登輦;李早陽;楊垚;鐘澤琪;劉立軍;

摘要：單晶硅是太陽能電池的主要原材料，其生長成本直接影響電池的制造成本。因此，降低單晶硅生長能耗對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)的降本增效至關(guān)重要。本文建立了直拉單晶硅生長的全局3D數(shù)值模型，考慮了單晶爐中加熱器、電極等非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱結(jié)構(gòu)，能夠更精確地模擬單晶爐內(nèi)的流動(dòng)和傳熱過程�；�于所建立的數(shù)值模型，研究了熱屏冷（熱）側(cè)發(fā)射率對(duì)單晶爐內(nèi)能耗分配及輻射、對(duì)流和導(dǎo)熱傳熱路徑的影響規(guī)律。結(jié)果表明，冷、熱側(cè)發(fā)射率的降低均可取得明顯的降...

高效可重現(xiàn)的SbI₃聲化學(xué)合成及其薄膜制備————作者：李晴雯;鐘敏;

摘要：二維金屬鹵化物近年來成為研究熱點(diǎn)，其中三碘化銻(SbI₃)因具有光學(xué)各向異性、較高的折射率、二次諧波等特性用于輻射探測器和光電器件。但SbI₃價(jià)格昂貴，限制了其大規(guī)模應(yīng)用。本文以銻粉和碘粉為原料，首次采用聲化學(xué)方法合成了SbI₃，并研究了超聲時(shí)間、反應(yīng)溶劑、Sb物質(zhì)的量及銻碘摩爾比對(duì)產(chǎn)物的影響，并以此粉體為原料制得SbI_3...

微下拉法Er∶CNGG晶體的生長及光譜性能研究————作者：陳子航;王曉丹;劉堅(jiān);劉鵬;徐曉東;徐軍;

摘要：采用微下拉法生長出摻雜濃度（原子數(shù)分?jǐn)?shù)）為0.3%、2.0%、3.0%和5.0%的Er∶CNGG晶體。X射線衍射（XRD）測試表明Er∶CNGG晶體屬于立方晶系。測試了Er∶CNGG晶體的吸收光譜、熒光光譜和熒光衰減曲線。5.0%Er∶CNGG晶體在968 nm處的吸收系數(shù)為1.70 cm^-1，半峰全寬（FWHM）為17.5 nm，可有效匹配商用激光二極管泵浦源。5.0%Er...

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