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發(fā)光學(xué)報(bào)

所屬欄目:核心期刊 更新日期:2025-05-06 10:05:36

發(fā)光學(xué)報(bào)

發(fā)光學(xué)報(bào)

EICSCD北大核心

Chinese Journal of Luminescence

期刊周期:月刊
復(fù)合影響因子:1.478
綜合影響因子:1.167
官網(wǎng):https://cjl.lightpublishing.cn;http://www.fgxb.org/
主編:江風(fēng)益
平均出版時(shí)滯:121.6

  發(fā)光學(xué)報(bào)最新期刊目錄

p型MgZnOS透明導(dǎo)電薄膜及其p-n結(jié)型自驅(qū)動(dòng)紫外光電探測(cè)器研究————作者:郭紫曼;汪洋;劉洋;張騰;陳劍;盧寅梅;何云斌;

摘要:針對(duì)純Zn O半導(dǎo)體的p型摻雜難題,提出采用陰(S2-)陽(yáng)(Mg2+)離子復(fù)合取代、協(xié)同調(diào)控Zn O合金電子能帶結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,進(jìn)行N受主摻雜的新思路,并采用脈沖激光沉積法成功制備了N摻雜p型透明導(dǎo)電Mg Zn OS薄膜。通過(guò)X射線衍射、透射光譜、霍爾效應(yīng)、X射線光電子能譜和二次離子質(zhì)譜測(cè)試分析了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光電學(xué)性質(zhì)及化學(xué)組分。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,制備的Mg...

從單晶MgZnO到非晶Ga2O3:深紫外光電探測(cè)器的發(fā)展和選擇————作者:梁會(huì)力;朱銳;杜小龍;梅增霞;

摘要:寬帶隙半導(dǎo)體在研制無(wú)濾光片緊湊型日盲紫外探測(cè)器方面具有極大的發(fā)展?jié)摿Α1疚慕Y(jié)合本團(tuán)隊(duì)在分子束外延Mg Zn O單晶薄膜和磁控濺射非晶Ga2O3薄膜以及相應(yīng)日盲紫外探測(cè)器的研究經(jīng)驗(yàn),綜述了以Mg Zn O和非晶Ga2O3為代表的寬帶隙氧化物半導(dǎo)體深紫外探測(cè)器研究進(jìn)展,發(fā)現(xiàn)非晶Ga2O

ZnO強(qiáng)耦合微腔中的激子極化激元————作者:朱海;王亞琪;王潤(rùn)晨;董君行;

摘要:ZnO高達(dá)60 meV的激子束縛能使其激子能在室溫甚至更高溫度下穩(wěn)定存在,這使得基于ZnO強(qiáng)耦合微腔的激子極化激元器件可以突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體的低溫實(shí)驗(yàn)條件限制,是近十年來(lái)研究者所青睞的激子極化激元研究材料。本文介紹了ZnO主要的半導(dǎo)體微腔結(jié)構(gòu),并聚焦于近年來(lái)報(bào)道的ZnO強(qiáng)耦合微腔及激子極化激元的相關(guān)現(xiàn)象,包括極化激元激光、參量散射以及量子態(tài)調(diào)控特性,最后對(duì)未來(lái)的研究方向提出了展望

稀土摻雜金屬氧化物薄膜晶體管研究進(jìn)展————作者:黃湘蘭;彭俊彪;

摘要:金屬氧化物薄膜晶體管(Metal oxide thin film transistors, MOTFTs)因其具有較高的載流子遷移率和較好的電學(xué)穩(wěn)定性,在大尺寸發(fā)光顯示驅(qū)動(dòng)背板應(yīng)用方面極具潛力。此外,MOTFTs與非晶硅薄膜晶體管的制備工藝兼容,制造成本較低,具有較大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。然而,衡量MOTFTs性能的兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)——遷移率和穩(wěn)定性之間的矛盾限制了其高端顯示應(yīng)用。因此,開發(fā)高遷移率兼具高穩(wěn)定...

高效鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管:挑戰(zhàn)和優(yōu)化(英文)————作者:李夢(mèng)嬌;王曄;王亞坤;廖良生;

摘要:鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Pe-QLEDs)由于其窄半峰寬和高光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)而在顯示和照明領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。盡管其性能已取得顯著進(jìn)展,但依然面臨缺陷、離子遷移等諸多挑戰(zhàn),影響了其長(zhǎng)期穩(wěn)定性和工作效率。為了解決這些問(wèn)題,配體工程、界面鈍化、自組裝策略等優(yōu)化手段正在被廣泛研究。本綜述主要從鈣鈦礦量子點(diǎn)的合成、挑戰(zhàn)和優(yōu)化三個(gè)方面進(jìn)行描述,這對(duì)實(shí)現(xiàn)高性能和穩(wěn)定PeQLEDs的商業(yè)化和大...

上轉(zhuǎn)換納米顆粒的手性構(gòu)建方法及應(yīng)用進(jìn)展————作者:吳佳航;楊宇涵;盧揚(yáng);趙栩;劉曉敏;

摘要:如果一個(gè)物體(或分子)與其鏡像無(wú)法通過(guò)旋轉(zhuǎn)或平移完全重合,則稱其為手性物體(或分子)。手性是自然界中普遍存在的基本特征。手性材料具備圓二色性(CD)、圓偏振發(fā)光(CPL)等獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì),在光催化、生物傳感、光學(xué)器件等多個(gè)領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。光子上轉(zhuǎn)換(UC)是指吸收多個(gè)低能量光子并發(fā)射一個(gè)高能量光子,上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米顆粒(UCNPs)可以通過(guò)稀土離子間的能級(jí)躍遷實(shí)現(xiàn)光子上轉(zhuǎn)換。結(jié)合光子上轉(zhuǎn)換的...

光輔助非水系鋰氧氣電池:光電陰極的制備與展望(英文)————作者:薛志超;蔣四海;茹穎懿;李潔;李強(qiáng);孫紅;

摘要:在過(guò)去幾年里,光輔助鋰氧氣電池(LOBs)一直是一個(gè)突出且不斷發(fā)展的領(lǐng)域。然而,由于存在氧還原反應(yīng)(ORR)和析氧反應(yīng)(OER)緩慢、充放電過(guò)電位較大、循環(huán)壽命不穩(wěn)定等問(wèn)題,導(dǎo)致能量效率較低,從而限制了其商業(yè)化應(yīng)用。光電陰極材料的合理設(shè)計(jì)和合成是解決光輔助LOBs系統(tǒng)存在的上述問(wèn)題的有效途徑。本文綜述了近年來(lái)光輔助LOBs光電陰極材料的設(shè)計(jì)和制備的研究進(jìn)展。首先,概述了光輔助LOBs的基本原理和反...

基于N-苯基馬來(lái)酰亞胺改性的量子點(diǎn)光刻膠制備色轉(zhuǎn)換像素化薄膜————作者:蔣博瑞;宋博翔;陳恩果;羅家俊;唐江;

摘要:光刻法是一種制備微型發(fā)光二極管(Micro-LED)像素化色轉(zhuǎn)換薄膜的可靠方案,但存在量子點(diǎn)與光刻膠兼容性的難題。本文開發(fā)了一種通過(guò)N-苯基馬來(lái)酰亞胺(NPMI)側(cè)鏈改性的丙烯酸樹脂制備兼容量子點(diǎn)的光刻膠,側(cè)鏈基團(tuán)上C==O鍵能與量子點(diǎn)形成配位鍵從而鈍化表面缺陷,并提高量子點(diǎn)分散性,使光刻膠溶液的量子產(chǎn)率(PLQY)達(dá)到76.1%(紅色)和43.4%(綠色)。最終制備色轉(zhuǎn)換薄膜時(shí)鈍化效果仍然存在,...

一維ZnO核殼結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)構(gòu)建和光電功能————作者:王瀟璇;盧文棟;徐春祥;

摘要:近幾十年來(lái),一維氧化鋅(ZnO)納米材料由于其獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì),在發(fā)光、探測(cè)、傳感、催化等眾多光電子學(xué)領(lǐng)域中展示出非凡的性能,引起了人們的廣泛關(guān)注和興趣。一維核殼納米結(jié)構(gòu)不僅可以實(shí)現(xiàn)表面修飾和功能材料集成,同時(shí)具有徑向局域和軸向傳輸?shù)墓鈱W(xué)特性以及載流子定向傳輸?shù)碾妼W(xué)特性,從而展示出豐富的物理和化學(xué)特性,對(duì)于光電子器件的性能優(yōu)化和功能拓展等方面的研究發(fā)展起到了重要作用。本文介紹了一維ZnO納米陣...

羧基改性苝酰亞胺與鈣離子的絡(luò)合組裝及熒光增強(qiáng)(英文)————作者:顧丹丹;趙浩儒;江曉澤;齊浩含;廖作桂;陳珈;孫賓;

摘要:合成了灣位羧基化的苝酰亞胺衍生物1,7-COOH-PDI-C12(PDI-COOH),并在THF/H2O溶液中與鈣離子(Ca2+)結(jié)合,觀察到獨(dú)特的熒光增強(qiáng)現(xiàn)象。通過(guò)改變不同濃度的水合狀態(tài),詳細(xì)研究了PDI-COOH/Ca2+的組裝和熒光行為。基于PDI-COOH/Ca2+的組裝形態(tài)和化學(xué)...

Bi3+激活石榴石藍(lán)青光發(fā)光材料的發(fā)光性能————作者:鄧文杰;王海怡;黃得財(cái);彭家慶;葉信宇;

摘要:藍(lán)青光發(fā)光材料在實(shí)現(xiàn)熒光粉轉(zhuǎn)換型LED全光譜光源中發(fā)揮著重要作用。本文采用高溫固相法制備了Bi3+摻雜石榴石結(jié)構(gòu)的固溶體發(fā)光材料Gd Sr2Sc Mg Ge3O12。通過(guò)XRD結(jié)構(gòu)精修、元素分析、光致光譜等表征對(duì)材料結(jié)構(gòu)、組成和發(fā)光性能進(jìn)行了全面分析。Gd Sr2Sc Mg Ge...

Sr3AlO4F∶Eu3+,Dy3+,Na+發(fā)光材料性能————作者:梁瑞含;趙惠明;張艷吉;李文霞;米曉云;

摘要:采用高溫固相法制備了一系列Sr3Al O4F∶Eu3+,Dy3+,Na+紅色發(fā)光材料。使用X射線衍射、掃描電子顯微鏡、光譜儀等設(shè)備對(duì)Sr3Al O4F∶Eu3+,Dy3+,Na+紅...

埋底界面的原位修飾制備高效鈣鈦礦太陽(yáng)電池及組件————作者:王瑤;黎偉樂(lè);馬夢(mèng)恩;楊恢東;陳謙;弓箭;劉沖;

摘要:反式鈣鈦礦太陽(yáng)電池埋底界面的缺陷是制約太陽(yáng)電池器件效率和穩(wěn)定性的重要原因,使用有機(jī)小分子鈍化界面可以有效減少界面的缺陷,降低載流子的非輻射復(fù)合。本文通過(guò)將一種鈍化材料與自組裝空穴傳輸材料結(jié)合,一步實(shí)現(xiàn)具有二維鈣鈦礦材料鈍化的埋底界面,實(shí)現(xiàn)了效率的提升。最終,經(jīng)埋底界面鈍化,刮涂制備的鈣鈦礦太陽(yáng)電池實(shí)現(xiàn)了21.42%的能量轉(zhuǎn)換效率。同時(shí),我們還制作了孔徑面積為21.5 cm2的...

基于Sb2O3可飽和吸收體的2.8μm被動(dòng)調(diào)Q激光器————作者:張雅馨;陳邱笛;盧思亮;陳言;張沛雄;李真;陳振強(qiáng);

摘要:提出了一種采用978 nm側(cè)泵的基于氧化銻可飽和吸收體摻鉺被動(dòng)調(diào)Q激光器。采用垂直微間距升華法(chemical reaction assisted vertical micro sublimation method,CVMS)成功地將Sb2O3轉(zhuǎn)移到Al2O3襯底上,并對(duì)其進(jìn)行了形貌、結(jié)構(gòu)等性能表征。采用97...

比率熒光碳點(diǎn)對(duì)部分水解聚丙烯酰胺精準(zhǔn)識(shí)別與降解————作者:施偉光;孫曉靜;邵丹陽(yáng);李昌升;董彪;

摘要:以L-色氨酸、葉酸和氯化銅為原料,采用自下而上的方法水熱合成了特異性識(shí)別部分水解聚丙烯酰胺(HPAM)的銅摻雜碳點(diǎn)(Cu-CDs)。采用透射電子顯微鏡、X射線光電子能譜和穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜等表征方法對(duì)碳點(diǎn)結(jié)構(gòu)、HPAM識(shí)別機(jī)制與降解性能進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,Cu-CDs的熒光量子產(chǎn)率為60%,具有抗離子干擾特性,特異性識(shí)別水中的HPAM。在1~1 000 mg/L范圍內(nèi),Cu-CDs的比率熒光強(qiáng)度(...

氧空位對(duì)非晶InGaZnO基肖特基勢(shì)壘二極管性能的影響(英文)————作者:賈斌;童曉聞;韓子康;秦明;王立峰;黃曉東;

摘要:整流電路作為交流轉(zhuǎn)換直流的關(guān)鍵組件,在能量收集微系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)硅基或鍺基整流二極管因其特殊的制造工藝,阻礙了系統(tǒng)集成。相比之下,金屬氧化物二極管憑借其簡(jiǎn)單的制備技術(shù),在系統(tǒng)集成方面展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。氧化物半導(dǎo)體的氧空位缺陷會(huì)對(duì)器件的電學(xué)性能產(chǎn)生很大影響,因此通過(guò)調(diào)節(jié)氧空位濃度可以有效調(diào)控二極管的性能。為優(yōu)化二極管性能,本研究通過(guò)調(diào)整濺射過(guò)程中的氧氣流量,有效調(diào)控In Ga Zn O薄膜中的氧...

氧化鋅微納結(jié)構(gòu)紫外發(fā)光與激光器件研究進(jìn)展————作者:劉茂生;王金輝;闞彩俠;施大寧;姜明明;

摘要:氧化鋅(ZnO)擁有較寬的直接帶隙(3.37 eV)、可觀的激子束縛能(60 meV)以及良好的增益特性,這使其成為低維高效純紫外發(fā)光及激光器件的理想材料。目前,基于各種形態(tài)的ZnO微腔已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了光泵浦激光,但電驅(qū)動(dòng)器件的開發(fā)才是其走向?qū)嶋H應(yīng)用的關(guān)鍵。本文簡(jiǎn)要回顧了ZnO的基本特性及其微納結(jié)構(gòu)的常見制備方式,按不同的器件結(jié)構(gòu)梳理了基于ZnO微納結(jié)構(gòu)的發(fā)光和激光器件的主要研究進(jìn)展。首先,闡述了基于低...

利用疊層結(jié)構(gòu)提高近紫外有機(jī)發(fā)光二極管的電致發(fā)光效率與穩(wěn)定性————作者:于宏宇;張寶文;陳平;張勇;

摘要:在過(guò)去十年中,近紫外有機(jī)發(fā)光二極管(NUV-OLEDs)因其具有近紫外光子發(fā)射能力而受到研究者的廣泛關(guān)注。然而,當(dāng)器件的電致發(fā)光波長(zhǎng)降至400 nm以下時(shí),如何提升器件的輻射功率成為技術(shù)挑戰(zhàn)。本研究采用BCPO和TAZ作為NUV發(fā)光材料,制備了單層和疊層NUV-OLEDs,并比較了它們的電致發(fā)光性能。結(jié)果表明,疊層器件的性能顯著優(yōu)于單層器件。其中,BCPO單層器件的發(fā)光峰位波長(zhǎng)為384 nm,近紫...

基于集成氮化硅超表面VCSEL的渦旋光輸出————作者:牛昊;王永麗;姜增璇;李川川;魏志鵬;宋國(guó)峰;

摘要:集成光子器件技術(shù)的最新進(jìn)展充分滿足了市場(chǎng)對(duì)于緊湊型、高效光電系統(tǒng)的需求,同時(shí)也有力地促進(jìn)了光學(xué)超表面技術(shù)的發(fā)展。其中,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)與超表面的集成,可生成具有特定波前的矢量光束,極大地增強(qiáng)光電系統(tǒng)的功能性和靈活性。本文設(shè)計(jì)了基于Si3N4納米天線陣列超表面的850 nm VCSEL,通過(guò)對(duì)納米天線結(jié)構(gòu)參數(shù)的調(diào)控,實(shí)現(xiàn)了超過(guò)2π的相位覆蓋...

基于可調(diào)有源雙耦合器環(huán)級(jí)聯(lián)復(fù)合腔濾波器的2 μm波段單縱模光纖激光器————作者:郭文雅;孫威威;吳勝保;馮亭;延鳳平;

摘要:提出并驗(yàn)證了一種基于可調(diào)有源雙耦合器環(huán)級(jí)聯(lián)復(fù)合腔(Active dual-coupler ring based compound-cavity,ADCR-CC)濾波器的2 μm波段單縱模(Single-longitudinal-mode,SLM)銩鈥共摻光纖激光器。將具有可調(diào)濾波帶寬和透射率的ADCR-CC濾波器與光纖布拉格光柵(Fiber Bragg grating,FBG)結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了SLM激...

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