微納電子技術(shù)最新期刊目錄

激光退火作用對(duì)Ni-SiC歐姆接觸形成的影響機(jī)制研究————作者：陳絲雨;陳冬冬;王曉峰;潘嶺峰;黃永忠;

摘要：與傳統(tǒng)的快速熱退火（RTA）相比,激光退火（LA）具有作用時(shí)間極短及范圍可控等優(yōu)勢,并可通過調(diào)節(jié)激光參數(shù),實(shí)現(xiàn)可控的退火效果。采用不同波長、脈寬和能量密度的激光束對(duì)Ni-SiC樣品進(jìn)行退火處理,探討了在歐姆接觸形成過程中,這些參數(shù)對(duì)方塊電阻-能量密度（R_s-ED）曲線、樣品形貌以及表面粗糙度的影響,分析了歐姆接觸形成的機(jī)理。研究發(fā)現(xiàn),金屬Ni對(duì)351nm波長激光的吸收率高于對(duì)...

面向膠囊機(jī)器人的Huber加權(quán)抗干擾磁定位方法————作者：林宇飛;蘇詩薦;戴厚德;

摘要：膠囊機(jī)器人因其無創(chuàng)、無痛等特點(diǎn)在胃腸道疾病診療中展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,基于永磁場的定位技術(shù)憑借其高精度與適應(yīng)性,在膠囊的體內(nèi)定位應(yīng)用中備受關(guān)注。然而,復(fù)雜手術(shù)環(huán)境中普遍存在的鐵磁物質(zhì)及外來磁源,會(huì)引發(fā)硬鐵、軟鐵效應(yīng),嚴(yán)重影響定位精度。為此,提出了一種融合Huber加權(quán)算法與動(dòng)態(tài)初值策略的磁定位方法。首先,通過Huber核函數(shù)對(duì)可能受干擾的傳感器測量值進(jìn)行差異化處理,削減異常測量數(shù)據(jù)的權(quán)重;其次,通...

封裝基板關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展及展望————作者：楊宏強(qiáng);方建敏;李光耀;

摘要：封裝基板是半導(dǎo)體封裝過程中廣泛使用的基礎(chǔ)材料之一。首先闡述了基板的起源、種類(單塊和單元基板)、應(yīng)用和組成;之后從先進(jìn)基板制造工藝角度,詳細(xì)分析了線路圖形工藝(減成法、改進(jìn)半加成法和半加成法)、芯板結(jié)構(gòu)(有芯、無芯)、內(nèi)置元器件(有源、無源)以及最近興起的玻璃芯基板、多層布線芯板基板的應(yīng)用場景、制作方法和工藝能力;最后從基板類型和應(yīng)用角度,展望了先進(jìn)基板關(guān)鍵技術(shù)的未來趨勢

一種高穩(wěn)定性帶過流保護(hù)的LDO電路設(shè)計(jì)————作者：韓富璇;何慶國;王鑫;馬琳;

摘要：采用0.25μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種高穩(wěn)定性帶過流保護(hù)功能的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)。該LDO包括帶隙基準(zhǔn)電路、誤差放大器、過流保護(hù)電路等。過流保護(hù)電路可以在LDO負(fù)載超過設(shè)定值時(shí)關(guān)閉LDO電路。誤差放大器主環(huán)路采用負(fù)載電容等效串聯(lián)電阻(ESR)和密勒電容倍增補(bǔ)償進(jìn)行頻率補(bǔ)償,保證全負(fù)載條件下電路的穩(wěn)定性。仿真結(jié)果表明,設(shè)計(jì)的LDO實(shí)現(xiàn)了7～15 V的寬輸入電壓范圍,輸出電壓典型值為5 V,...

Ka波段小型化多通道新型封裝天線設(shè)計(jì)————作者：楊兆龍;劉林杰;喬志壯;

摘要：封裝天線(Ai P)是一種能夠?qū)崿F(xiàn)低成本制備、高性能以及小體積天線的技術(shù),在移動(dòng)通信等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。目前以高溫共燒陶瓷(HTCC)作為封裝材料的Ai P大多屬于多層結(jié)構(gòu),通過犧牲天線尺寸來實(shí)現(xiàn)寬帶和高增益特性,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,集成度較低。提出了一種新型的小型化封裝天線結(jié)構(gòu)。以HTCC作為介質(zhì)基板材料,通過將傳統(tǒng)Vivaldi天線和微帶八木天線相結(jié)合,在保證天線有足夠增益的前提下有效減小了天線尺寸。...

人工智能大語言模型和AI芯片的新進(jìn)展(續(xù))————作者：趙正平;

摘要：以ChatGPT為代表的大語言模型的發(fā)展標(biāo)志人工智能(AI)進(jìn)入“通用人工智能”發(fā)展的新時(shí)代。綜述了通用人工智能“大數(shù)據(jù)、小任務(wù)”專用人工智能發(fā)展階段的兩大熱點(diǎn)：人工智能大語言模型和AI芯片的最新進(jìn)展和發(fā)展趨勢。在人工智能大語言模型領(lǐng)域，綜述并分析了其發(fā)展由來和發(fā)展現(xiàn)狀，包括專家系統(tǒng)和聊天機(jī)器人兩條技術(shù)路線的發(fā)展歷程，OpenAI的ChatGPT領(lǐng)跑大模型的發(fā)展現(xiàn)狀，以及對(duì)大模型的綜述、深化、改進(jìn)...

面向CMUT的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和激勵(lì)信號(hào)優(yōu)化————作者：孫帥文;何常德;吳帥琦;張文棟;張國軍;楊玉華;王任鑫;

摘要：電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)具有微型化、易與電子產(chǎn)品集成、與人體組織阻抗匹配良好、機(jī)電轉(zhuǎn)換效率高、靈敏度高、頻帶寬和成本低等優(yōu)點(diǎn)。CMUT在醫(yī)學(xué)成像、無損檢測和流速測量等領(lǐng)域展現(xiàn)出極大應(yīng)用潛力。針對(duì)CMUT,設(shè)計(jì)了一套高壓脈沖激勵(lì)系統(tǒng)，可以用于激勵(lì)CMUT發(fā)送超聲波。使用該系統(tǒng)對(duì)CMUT進(jìn)行不同發(fā)射波形的測試對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示：在正極性偏置電壓下，對(duì)上電極施加峰峰值相同的負(fù)極性脈沖方波、雙極...

水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面質(zhì)量的機(jī)理————作者：張瀟;周建偉;楊云點(diǎn);羅翀;欒曉東;邵祥清;李瑾;

摘要：通過實(shí)驗(yàn)探究了在拋光液中加入羥丙基甲基纖維素（HPMC）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）兩種水溶性聚合物對(duì)多晶硅表面的影響機(jī)理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氫鍵，并形成一層保護(hù)層，改變多晶硅表面的潤濕性，減少拋光液中堿性物質(zhì)和多晶硅的化學(xué)反應(yīng)，減少磨料與多晶硅表面/拋光墊的直接接觸，減小了摩擦。加入的PVP與SiO₂顆粒之間通過氫鍵吸附形成軟磨料，提高了拋光液的分散性，減少了Si...

用于構(gòu)建高性能超級(jí)電容器的多層片狀CoMoO₄/Ni₃S₂納米復(fù)合材料————作者：陸惠群;梁龍生;羅杭;郭艷萍;陸森;林鍇松;鄭榮升;程再軍;

摘要：采用兩步水熱法在泡沫鎳襯底上沉積了CoMoO₄/Ni₃S₂片狀納米復(fù)合材料用作贗電容電極。研究了不同水熱反應(yīng)時(shí)間對(duì)CoMoO₄/Ni₃S₂電極結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的影響，結(jié)果顯示，在120℃的水熱反應(yīng)溫度下，反應(yīng)時(shí)間為3 h時(shí)，CoMoO₄/Ni

基于分布式聲波傳感系統(tǒng)的聲波信號(hào)探測研究————作者：解濤;秦海鑫;萬強(qiáng);董朝強(qiáng);徐晨;

摘要：利用分布式光纖傳感技術(shù)在10 km長單模光纖(SMF)上進(jìn)行聲波信號(hào)的探測。采用搭建的分布式聲波傳感(DAS)系統(tǒng)，對(duì)不同頻率(500、1 000和2 000 Hz)、不同聲壓(90～110 dB)的聲波信號(hào)進(jìn)行全光纖范圍內(nèi)的探測，實(shí)現(xiàn)了10 km光纖沿路的分布式聲波信號(hào)探測與傳輸，聲波信號(hào)信噪比(SNR)可達(dá)50 dB以上，空間分辨率為10 m。此外，該系統(tǒng)可以在更多場景下與純光纖系統(tǒng)融合，構(gòu)建...

碳化硅-玻璃-碳化硅陽極鍵合界面性能分析————作者：劉淑文;陰旭;劉翠榮;許兆麒;于秀秀;王強(qiáng);

摘要：碳化硅(SiC)因其優(yōu)異的高溫性能和穩(wěn)定性，被廣泛認(rèn)為是新一代高溫半導(dǎo)體器件封裝的理想材料。利用兩步陽極鍵合工藝實(shí)現(xiàn)了碳化硅-玻璃-碳化硅的可靠連接。兩步鍵合過程中，第一步和第二步中的峰值電流存在較大差異，尤其在第二步鍵合過程中電流出現(xiàn)二次峰值特征。采用掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜儀(EDS)對(duì)樣品鍵合界面進(jìn)行分析。研究結(jié)果表明：當(dāng)電壓過大時(shí)，在第二步鍵合界面處會(huì)產(chǎn)生富碳層，從而影響鍵合效果。使...

CuO/C復(fù)合薄膜的制備及其作為鈉離子電池負(fù)極的電化學(xué)性能————作者：趙卓凡;閆共芹;藍(lán)春波;王晨;戚艷超;付向輝;

摘要：通過濕化學(xué)法和磁控濺射法制備了CuO/C薄膜材料，并將其作為鈉離子電池負(fù)極。研究了碳復(fù)合對(duì)CuO薄膜電化學(xué)性能的影響，并通過第一性原理計(jì)算了鈉離子吸附能。研究結(jié)果表明，與CuO薄膜相比，通過磁控濺射進(jìn)行碳復(fù)合后形成的CuO/C復(fù)合材料具有更優(yōu)異的電化學(xué)性能，復(fù)合前、后的薄膜材料在0.01～3 V的電壓范圍和100 mA/g的電流密度下，經(jīng)過100圈充放電循環(huán)后的容量保持率分別為57.6%和67.6...

二維CMUT陣列成像系統(tǒng)的低冗余設(shè)計(jì)：一種新的陣列配置模式————作者：張?zhí)?宋金沙;喬冰琴;高丹;王智豪;邵星靈;

摘要：在基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的超聲換能器研究中，經(jīng)典相控陣(CPA)配置模式硬件系統(tǒng)復(fù)雜，經(jīng)典合成孔徑(CSA)配置模式成像效果較差。為了避免這些問題，研究了低冗余的二維電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)陣列配置模式。提出了三種新的陣列配置模式，即“+”字型發(fā)射全陣列接收(PF)、“X”型發(fā)射全陣列接收(XF)和邊界型發(fā)射全陣列接收(BF)。首先，計(jì)算這五種陣列配置模式的有效孔徑。從對(duì)比結(jié)果可以看...

基于太赫茲平面波導(dǎo)諧振結(jié)構(gòu)的生物分子傳感————作者：張慧睿;武京治;王艷紅;

摘要：太赫茲平面波導(dǎo)由于其體積小、設(shè)計(jì)靈活且易于集成而被廣泛應(yīng)用于生物傳感。然而，由于太赫茲波長比生物分子的尺寸大約6個(gè)數(shù)量級(jí)，檢測單個(gè)生物分子存在困難。提出了一種基于平面波導(dǎo)開環(huán)諧振器結(jié)構(gòu)的太赫茲生物傳感器。研究結(jié)果表明，太赫茲傳感器在160～200 GHz頻率范圍內(nèi)的最大傳感靈敏度為28.23 dB/RIU。通過在諧振結(jié)構(gòu)中集成納米孔，可以檢測到單個(gè)生物分子，同時(shí)發(fā)現(xiàn)生物分子的存在導(dǎo)致了0.2 GH...

界面停頓對(duì)生長量子級(jí)聯(lián)激光器InGaAs/InAAsl超晶格晶體質(zhì)量的影響————作者：王祎瑋;房玉龍;張曦;商耀輝;趙輝;師巨亮;

摘要：量子級(jí)聯(lián)激光器界面質(zhì)量對(duì)材料質(zhì)量和器件性能的影響很大,通過分子束外延(MBE)設(shè)備生長了高微分增益結(jié)構(gòu)的量子級(jí)聯(lián)激光器。研究了界面停頓對(duì)InGaAs/InAlAs超晶格質(zhì)量的影響。改變超晶格層與層之間的中斷時(shí)間(10、15、25、35、40 s)后,發(fā)現(xiàn)界面停頓會(huì)使量子級(jí)聯(lián)激光器(QCL)超晶格生長質(zhì)量變好,使用高分辨率X射線衍射儀(HRXRD)測量超晶格層的組成成分和生長速率;高分辨率透射電子顯...

CNC/PVDF復(fù)合薄膜的制備及其柔性壓電傳感器研究————作者：章麗娜;王玨;羅培;王席瑩;徐順建;

摘要：壓力傳感知器在智能互聯(lián)時(shí)代扮演重要角色,但面臨能耗和便攜性挑戰(zhàn)。柔性介電材料因其力-電轉(zhuǎn)換性能,成為開發(fā)高性能壓力傳感器的關(guān)鍵。其中纖維素納米晶（CNC）/聚偏氟乙烯（PVDF）壓電復(fù)合材料以其界面氫鍵強(qiáng)化和異相成核特性,有效誘導(dǎo)PVDF的β相形成,從而優(yōu)化壓電性能。當(dāng)添加CNC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%時(shí),CNC/PVDF復(fù)合薄膜的靈敏度為0.97 V·N^-1,所輸出的電壓和電流分別...

退火溫度對(duì)溶膠-凝膠法制備二氧化釩薄膜相變性能的影響————作者：汪啟旭;張化福;

摘要：以金屬釩的有機(jī)物(乙酰丙酮氧釩)作為前驅(qū)物,利用溶膠-凝膠法并經(jīng)過475～550℃的后退火處理制備了具有顯著金屬-絕緣相變特性的納米二氧化釩薄膜。研究發(fā)現(xiàn),通過改變后退火過程中的溫度可對(duì)二氧化釩薄膜結(jié)構(gòu)和表面形貌(顆粒形狀、顆粒大小和晶界)進(jìn)行調(diào)控,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)二氧化釩薄膜的相變溫度、相變幅度以及回線寬度等金屬-絕緣相變特性的調(diào)控。當(dāng)退火溫度為525℃時(shí),實(shí)驗(yàn)制備納米二氧化釩薄膜的金屬-絕緣相變回線...

微通道內(nèi)彈狀氣泡形狀特性數(shù)值研究————作者：馬夢珠;吳祥成;盧金;蘇良彬;陳華宇;

摘要：微通道多相流技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,而彈狀流因其高效的傳熱傳質(zhì)特性成為研究的焦點(diǎn)。運(yùn)用流體體積（VOF）法實(shí)現(xiàn)對(duì)矩形微通道內(nèi)彈狀氣泡動(dòng)態(tài)行為的精確數(shù)值模擬,旨在深入剖析氣液界面的復(fù)雜演變過程。針對(duì)實(shí)驗(yàn)手段難以全面捕捉的小毛細(xì)數(shù)(Ca_b

PTFE非晶相結(jié)構(gòu)三級(jí)透射中紅外光譜組學(xué)研究————作者：杜林楠;吉一帆;李宇涵;李瀧帆;尹昭;于宏偉;

摘要：聚四氟乙烯（PTFE）是一種重要的高分子聚合材料。開展了PTFE非晶相結(jié)構(gòu)及其熱穩(wěn)定性研究。分別研究了PTFE非晶相結(jié)構(gòu)的三級(jí)中紅外（MIR）光譜組學(xué)，包括透射MIR光譜、變溫透射MIR光譜及二維透射MIR光譜。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在303 K溫度下，PTFE分子非晶相結(jié)構(gòu)伸縮振動(dòng)模式對(duì)應(yīng)的紅外吸收峰為933.82、849.60、781.45、741.39、721.35和709.50 cm^-1

精密薄膜電阻材料研究進(jìn)展————作者：王攀龍;崔光宇;田廣科;

摘要：精密薄膜電阻材料是制作高精度薄膜電阻元件的關(guān)鍵材料，衡量其性能的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是薄膜阻值精度和電阻率溫度系數(shù)(TCR)絕對(duì)值。從不同薄膜材料的TCR入手，重點(diǎn)綜述了近10年來國內(nèi)外在精密薄膜電阻材料方面的研究進(jìn)展，指出了目前存在的一些問題及未來可能的發(fā)展方向，文章對(duì)于發(fā)展精密薄膜電阻材料高新技術(shù)具有一定的借鑒作用

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